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ATP202-TL-H

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ATP202-TL-H PDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
  • 功能描述
  • MOSFET SWITCHING DEVICE
  • RoHS
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 晶体管极性
  • N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压
  • 650 V
  • 闸/源击穿电压
  • 25 V
  • 漏极连续电流
  • 130 A
  • 电阻汲极/源极 RDS(导通)
  • 0.014 Ohms
  • 配置
  • Single
  • 最大工作温度
  • 安装风格
  • Through Hole
  • 封装 / 箱体
  • Max247
  • 封装
  • Tube
ATP202-TL-H 技术参数
  • ATP201-V-TL-H 功能描述:MOSFET N-CH 30V 35A ATPAK 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:上次购买时间 FET 类型:- FET 功能:- 漏源极电压(Vdss):- 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):- 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):- 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):- 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):- 功率 - 最大值:- 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:ATPAK(2 引线 + 接片) 供应商器件封装:ATPAK 标准包装:3,000 ATP201-TL-H 功能描述:MOSFET N-CH 30V 35A ATPAK 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:上次购买时间 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极,4.5V 驱动 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):35A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):17 毫欧 @ 18A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):17nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):985pF @ 10V 功率 - 最大值:30W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:ATPAK(2 引线 + 接片) 供应商器件封装:ATPAK 标准包装:3,000 ATP114-TL-H 功能描述:MOSFET P-CH 60V 55A ATPAK 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极,4V 驱动 漏源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):55A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):16 毫欧 @ 28A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):92nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):4000pF @ 20V 功率 - 最大值:60W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:ATPAK(2 引线 + 接片) 供应商器件封装:ATPAK 标准包装:1 ATP113-TL-H 功能描述:MOSFET P-CH 60V 35A ATPAK 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:停产 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):35A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):29.5 毫欧 @ 18A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):55nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):2400pF @ 20V 功率 - 最大值:50W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:ATPAK(2 引线 + 接片) 供应商器件封装:ATPAK 标准包装:1 ATP112-TL-H 功能描述:MOSFET P-CH 60V 25A ATPAK 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极,4V 驱动 漏源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):25A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):43 毫欧 @ 13A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):33.5nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1450pF @ 20V 功率 - 最大值:40W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:ATPAK(2 引线 + 接片) 供应商器件封装:ATPAK 标准包装:1 ATP214-TL-H ATP216-TL-H ATP218-TL-H ATP2PS-CKIT ATP301-TL-H ATP302-TL-H ATP304-TL-H ATP401-TL-H ATP404-H-TL-H ATP404-TL-H ATP405-TL-H ATP4PS-CKIT ATP602-TL-H ATP613-TL-H ATPANCOORDINATOR-EK ATPH18500150SET ATPH18500200SET ATPH18650200SET
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