您好,欢迎来到买卖IC网 登录 | 免费注册
您现在的位置:买卖IC网 > A字母型号搜索 > A字母第4622页 >

AUIRF2804S

配单专家企业名单
  • 型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装
  • 批号
  • 价格
  • 说明
  • 操作
AUIRF2804S PDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
  • 功能描述
  • MOSFET AUTO 40V 1 N-CH HEXFET 2.3mOhms
  • RoHS
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 晶体管极性
  • N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压
  • 650 V
  • 闸/源击穿电压
  • 25 V
  • 漏极连续电流
  • 130 A
  • 电阻汲极/源极 RDS(导通)
  • 0.014 Ohms
  • 配置
  • Single
  • 最大工作温度
  • 安装风格
  • Through Hole
  • 封装 / 箱体
  • Max247
  • 封装
  • Tube
AUIRF2804S 技术参数
  • AUIRF2804L 功能描述:MOSFET N-CH 40V 195A TO262 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):40V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):195A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):2 毫欧 @ 75A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):240nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):6450pF @ 25V 功率 - 最大值:300W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-262-3,长引线,I2Pak,TO-262AA 供应商器件封装:TO-262 标准包装:50 AUIRF2804 功能描述:MOSFET N-CH 40V 195A TO220AB 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):40V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):195A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):2.3 毫欧 @ 75A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):240nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):6450pF @ 25V 功率 - 最大值:300W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220 标准包装:50 AUIRF1405ZSTRL 功能描述:MOSFET N-CH 55V 150A D2PAK 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):55V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):150A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):4.9 毫欧 @ 75A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):180nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):4780pF @ 25V 功率 - 最大值:230W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-3,D2Pak(2 引线+接片),TO-263AB 供应商器件封装:D2PAK 标准包装:800 AUIRF1405ZS-7TRL 功能描述:MOSFET N-CH 55V 120A 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):55V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):120A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):4.9 毫欧 @ 88A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 150μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):230nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):5360pF @ 25V 功率 - 最大值:230W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-7,D2Pak(6 引线+接片),TO-263CB 供应商器件封装:D2PAK(7-Lead) 标准包装:800 AUIRF1405ZS-7P 功能描述:MOSFET N-CH 55V 120A D2PAK-7 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):55V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):120A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):4.9 毫欧 @ 88A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 150μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):230nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):5360pF @ 25V 功率 - 最大值:230W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-7,D2Pak(6 引线+接片),TO-263CB 供应商器件封装:D2PAK(7-Lead) 标准包装:50 AUIRF2903ZS AUIRF2903ZSTRL AUIRF2907Z AUIRF2907ZS7PTL AUIRF3004WL AUIRF3007 AUIRF3205 AUIRF3205Z AUIRF3205ZS AUIRF3205ZSTRL AUIRF3305 AUIRF3315S AUIRF3315STRL AUIRF3415 AUIRF3504 AUIRF3710Z AUIRF3710ZS AUIRF3710ZSTRL
配单专家

在采购AUIRF2804S进货过程中,您使用搜索有什么问题和建议?点此反馈

友情提醒:为规避购买AUIRF2804S产品风险,建议您在购买AUIRF2804S相关产品前务必确认供应商资质及产品质量。

免责声明:以上所展示的AUIRF2804S信息由会员自行提供,AUIRF2804S内容的真实性、准确性和合法性由发布会员负责。买卖IC网不承担任何责任。

买卖IC网 (www.mmic.net.cn) 版权所有©2006-2019
深圳市硕赢互动信息技术有限公司 | 粤公网安备 44030402000118号 | 粤ICP备14064281号