BFP 196R E6501

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BFP 196R E6501
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：唐先生
电话：0755-8322569219129381337（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。
865000
INFINEON
原厂封装
最新批号
-
一级代理.原装特价现货！

BFP 196R E6501
深圳市众芯微电子有限公司
深圳市众芯微电子有限公司
联系人：陈小姐
电话：0755-8320801015711992892
地址：都会轩3607
资质：营业执照
9800
Infineon Technologies
PG-SOT143-4
19+
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功能描述
射频双极小信号晶体管 NPN Silicon RF Transistr 20 TO 80mA
RoHS
否
制造商
NXP Semiconductors
配置
Single
晶体管极性
NPN
最大工作频率
7000 MHz
集电极—发射极最大电压 VCEO
15 V
发射极 - 基极电压 VEBO
2 V
集电极连续电流
0.15 A
功率耗散
1000 mW
直流集电极/Base Gain hfe Min
最大工作温度
+ 150 C
封装 / 箱体
SOT-223
封装
Reel

BFP 196R E6501 技术参数

BFP 196R E6327 功能描述:RF Transistor NPN 12V 150mA 7.5GHz 700mW Surface Mount PG-SOT143-4 制造商:infineon technologies 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:12V 频率 - 跃迁:7.5GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:1.3dB ~ 2.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz 增益:10.5dB ~ 16.5dB 功率 - 最大值:700mW 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:70 @ 50mA，8V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:150mA 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-253-4，TO-253AA 供应商器件封装:PG-SOT143-4 标准包装:3,000 BFP 193 E6327 功能描述:RF Transistor NPN 12V 80mA 8GHz 580mW Surface Mount PG-SOT143-4 制造商:infineon technologies 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:12V 频率 - 跃迁:8GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz 增益:12dB ~ 18dB 功率 - 最大值:580mW 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:70 @ 30mA，8V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:80mA 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-253-4，TO-253AA 供应商器件封装:PG-SOT143-4 标准包装:1 BFP 183 E7764 功能描述:RF Transistor NPN 12V 65mA 8GHz 250mW Surface Mount PG-SOT143-4 制造商:infineon technologies 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:12V 频率 - 跃迁:8GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:0.9dB ~ 1.4dB @ 900MHz ~ 1.8GHz 增益:22dB 功率 - 最大值:250mW 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:70 @ 15mA，8V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:65mA 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-253-4，TO-253AA 供应商器件封装:PG-SOT143-4 标准包装:1 BFP 182 E7764 功能描述:RF Transistor NPN 12V 35mA 8GHz 250mW Surface Mount PG-SOT143-4 制造商:infineon technologies 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:12V 频率 - 跃迁:8GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz 增益:22dB 功率 - 最大值:250mW 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:70 @ 10mA，8V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:35mA 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-253-4，TO-253AA 供应商器件封装:PG-SOT143-4 标准包装:1 BFP 181 E7764 功能描述:RF Transistor NPN 12V 20mA 8GHz 175mW Surface Mount PG-SOT143-4 制造商:infineon technologies 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:12V 频率 - 跃迁:8GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz 增益:17.5dB ~ 21dB 功率 - 最大值:175mW 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:70 @ 70mA，8V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:20mA 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-253-4，TO-253AA 供应商器件封装:PG-SOT143-4 标准包装:1 BFP 720F E6327 BFP 720FESD E6327 BFP 740F E6327 BFP 740FESD E6327 BFP-127111-10-9 BFP181E7764HTSA1 BFP182RE7764HTSA1 BFP182WE6327HTSA1 BFP182WH6327XTSA1 BFP183E7764HTSA1 BFP183WE6327BTSA1 BFP183WH6327XTSA1 BFP193E6327HTSA1 BFP193WE6327HTSA1 BFP193WH6327XTSA1 BFP196E6327HTSA1 BFP196WE6327HTSA1 BFP196WH6327XTSA1