配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

BSC047N08NS3 G
深圳市亿联芯电子科技有限公司
深圳市亿联芯电子科技有限公司
联系人：吴经理
电话：18138401919
地址：深圳市福田区赛格科技园四栋中6楼6K31
69880
INFINEON/英飞凌
QFN-8
2021+
-
★★正规渠道★原厂正品最新货源现货供应★...

BSC047N08NS3 G
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
46570
INF
QFN8
08+;10+
-
全新原装现货

BSC047N08NS3 G
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：何芝
电话：19129491934(手机优先微信同号)0755-82865099
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
3500
Infineon
SO8
13+
-
Infineon一级代理，价优

BSC047N08NS3 G
深圳市欧和宁电子有限公司
深圳市欧和宁电子有限公司
联系人：李先生
电话：0755-292759351581559886118576729816
地址：广东省深圳市福田区华强北赛格科技园6C18室
69800
INFINEON
近两年生产
DFN-8
-
每一片都来自原厂

BSC047N08NS3 G
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室
资质：营业执照
5000
INFINEON
TDSON8
08+
-
假一罚十，百分百原装正品

BSC047N08NS3 G
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
250000
INFINEON
TDSON-8
最新批次
-
OEM渠道，价格超越代理！

BSC047N08NS3 G
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：唐先生
电话：0755-8322569219129381337（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。
865000
INFINEON
原厂封装
最新批号
-
一级代理，原装正品现货！！

BSC047N08NS3 G
深圳市亚泰盈科电子有限公司
深圳市亚泰盈科电子有限公司
联系人：郑小姐
电话：15338868823
地址：公司地址：★★深圳市福田区佳和大厦B座1410-1411
资质：营业执照
8563
INFINEON/英飞凌
TDSON-8
2022
-
全新原装现货支持BOM表配单

BSC047N08NS3 G 其他被动元件
深圳市华芯源电子有限公司
深圳市华芯源电子有限公司
联系人：张小姐
电话：1501927513013823545558
地址：深圳市福田区华强路华强广场D座16层18B
资质：营业执照
17133
INFINEON/英飞凌
SUPERSO8
22+
-

BSC047N08NS3 G
深圳市琦凌凯科技有限公司
深圳市琦凌凯科技有限公司
联系人：彭先生
电话：1331648214918276240346
地址：深圳市福田区华强北街道荔村社区振兴路120号赛格科技园4栋中10层10A28
资质：营业执照
6000
Infineon/英飞凌
SUPERSO8
22+
-
十年配单，只做原装

BSC047N08NS3 G
深圳市一线半导体有限公司
深圳市一线半导体有限公司
联系人：谢小姐/钟先生/陈先生/陈小姐
电话：0755-88608801多线17727932378
地址：深圳市福田区华强北华强花园B9F
9600
SuperSO8
INFINEON
17+
-
原装正品。优势供应

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功能描述
MOSFET OptiMOS3 PWR-MOSFET N-CH
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶体管极性
N-Channel
汲极/源极击穿电压
650 V
闸/源击穿电压
25 V
漏极连续电流
130 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）
0.014 Ohms
配置
Single
最大工作温度
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
Max247
封装
Tube

BSC047N08NS3 G 技术参数

BSC046N10NS3GATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 100V 100A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:17A（Ta），100A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:4.6 毫欧 @ 50A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 120μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:63nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:4500pF @ 50V 功率 - 最大值:156W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerTDFN 供应商器件封装:PG-TDSON-8（5.15x6.15）标准包装:1 BSC046N02KSGAUMA1 功能描述:MOSFET N-CH 20V 80A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:19A（Ta），80A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.2V @ 110μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:27.6nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±12V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:4100pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:2.8W（Ta），48W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:4.6 毫欧 @ 50A，4.5V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:PG-TDSON-8 封装/外壳:8-PowerTDFN 标准包装:1 BSC046N02KS G 功能描述:MOSFET N-CH 20V 80A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极，2.5V 驱动漏源极电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:19A（Ta），80A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:4.6 毫欧 @ 50A，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.2V @ 110μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:27.6nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:4100pF @ 10V 功率 - 最大值:48W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerTDFN 供应商器件封装:PG-TDSON-8 标准包装:1 BSC042NE7NS3GATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 75V 100A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:75V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:19A（Ta），100A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:4.2 毫欧 @ 50A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.8V @ 91μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:69nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:4800pF @ 37.5V 功率 - 最大值:125W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerTDFN 供应商器件封装:PG-TDSON-8 标准包装:1 BSC042N03ST 功能描述:MOSFET N-CH 30V 50A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:带卷（TR）零件状态:停产 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:20A（Ta），50A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:4.2 毫欧 @ 50A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 50μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:28nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:3660pF @ 15V 功率 - 最大值:62.5W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerTDFN 供应商器件封装:PG-TDSON-8 标准包装:5,000 BSC050N03MSGATMA1 BSC050N04LSGATMA1 BSC050NE2LS BSC050NE2LSATMA1 BSC052N03LS BSC052N03LSATMA1 BSC052N03S G BSC052N08NS5ATMA1 BSC054N04NSGATMA1 BSC057N03LSGATMA1 BSC057N03MSGATMA1 BSC057N08NS3GATMA1 BSC059N03S G BSC059N03ST BSC059N04LSGATMA1 BSC060N10NS3GATMA1 BSC060P03NS3E G BSC060P03NS3EGATMA1

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