配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

BSC119N03SG
深圳市时兴宇电子有限公司
深圳市时兴宇电子有限公司
联系人：彭先生
电话：0755-830415598397218513430523058
地址：深圳市福田区华强北都会大厦A座19楼19G
9885
TO
14+
-
绝对公司原装现货

BSC119N03SG
深圳市佳斯泰科技有限公司
深圳市佳斯泰科技有限公司
联系人：廖小姐
电话：13410012158
地址：广东省深圳市福田区华强北上航大厦西座四层
5000
In?neon
TDSON-8
11+
-
100%进口原装正品，只做原装

BSC119N03SG
深圳市深美诺电子科技有限公司
深圳市深美诺电子科技有限公司
联系人：李燕兵
电话：82525918
地址：深圳市福田区华强北路上步工业区101栋5楼517-532室
资质：营业执照
6000
INFINEO
P-TDSON
22+
-
全新原装现货供应

BSC119N03SG
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：唐先生
电话：0755-8322569219129381337（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。
865000
INFINEON
P-TDSON-8
最新批号
-
一级代理.原装特价现货！

BSC119N03SG
深圳市英科美电子有限公司
深圳市英科美电子有限公司
联系人：张先生
电话：0755-23903058
地址：深圳市福田区振兴路西101号华匀大厦1栋7F
16800
INFINEON/英飞凌
QFN
22+
-
每一片都来自原厂，正品保证

BSC119N03SG
深圳市琦凌凯科技有限公司
深圳市琦凌凯科技有限公司
联系人：彭先生
电话：1331648214918276240346
地址：深圳市福田区华强北街道荔村社区振兴路120号赛格科技园4栋中10层10A28
资质：营业执照
6000
INFINEON
SUPERSO8
22+
-
十年配单，只做原装

BSC119N03SG
深圳市澳亿芯电子科技有限公司
深圳市澳亿芯电子科技有限公司
联系人：李先生
电话：13760200702
地址：深圳市龙岗区坂田街道五和大道山海商业广场C栋706
资质：营业执照
38
INFINEON
TDS0N-8
假一赔十！
-
绝对原装现货！

BSC119N03SG
深圳市硅宇电子有限公司
深圳市硅宇电子有限公司
联系人：唐先生
电话：134242936540755-83690762
地址：深圳市福田区福虹路世界贸易广场A座1503
资质：营业执照
71754
INFINEO
PG-TDSO
0651/08
-
原装现货/特价

BSC119N03SG
深圳市华芯源电子有限公司
深圳市华芯源电子有限公司
联系人：张小姐
电话：1501927513013823545558
地址：深圳市福田区华强路华强广场D座16层18B
资质：营业执照
20525
INFINEON/英飞凌
SuperSO8
22+
-

BSC119N03SG
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
638850
INFINEON
TDSON8
最新批次
-
OEM渠道，价格超越代理！

BSC119N03SG
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
5000
NULL
NULL
09/10+
-
假一罚十，百分百原装正品

BSC119N03SG
深圳市一线半导体有限公司
深圳市一线半导体有限公司
联系人：谢小姐/钟先生/陈先生/陈小姐
电话：0755-88608801多线17727932378
地址：深圳市福田区华强北华强花园B9F
9600
SuperSO8
INFINEON
17+
-
原装正品。优势供应

BSC119N03SG
深圳市一线半导体有限公司
深圳市一线半导体有限公司
联系人：谢小姐/钟先生/陈先生/陈小姐
电话：0755-8860880117727932378
地址：深圳市福田区华强北华强花园B9F
36200
INFINEON
TSON-8
18+
-
原装正品，欢迎订购

BSC119N03SG
深圳市一线半导体有限公司
深圳市一线半导体有限公司
联系人：谢小姐/钟先生/陈先生/陈小姐
电话：0755-88608801多线17727932378
地址：深圳市福田区华强北华强花园B9F
9800
Infineon
TDSON
18+
-
优势库存，原装现货

BSC119N03SG
深圳市欧和宁电子有限公司
深圳市欧和宁电子有限公司
联系人：李先生
电话：0755-292759351581559886118576729816
地址：广东省深圳市福田区华强北赛格科技园6C18室
69800
INFINEON
近两年生产
QFN
-
每一片都来自原厂

BSC119N03SG
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
联系人：苗凤军
电话：17623594308
地址：深圳龙岗区棕科云端大厦1栋B座15层
资质：营业执照
4846
INFINEO
TDSON-8
2205+
-
十年专营，供应原装正品！热卖现货！

BSC119N03SG
北京力通科信电子有限公司
北京力通科信电子有限公司
联系人：韩小姐
电话：13661385246
地址：北京市海淀区知春路118号知春大厦B座1504室，新中发电子市场B1303-b1305柜台
1235
INFINEON
QFN
0735+
-
原装现货13661385246

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制造商
INFINEON
制造商全称
Infineon Technologies AG
功能描述
OptiMOS?2 Power-Transistor

BSC119N03SG 技术参数

BSC119N03S G 功能描述:MOSFET N-CH 30V 30A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:11.9A（Ta），30A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:11.9 毫欧 @ 30A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 20μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:11nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1370pF @ 15V 功率 - 最大值:43W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerTDFN 供应商器件封装:PG-TDSON-8 标准包装:1 BSC118N10NSGATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 100V 71A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:11A（Ta），71A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:11.8 毫欧 @ 50A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 70μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:56nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:3700pF @ 50V 功率 - 最大值:114W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerTDFN 供应商器件封装:PG-TDSON-8 标准包装:1 BSC117N08NS5ATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 80V 49A 8TDSON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET (Metal Oxide) 漏源极电压（Vdss）:80V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:49A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:11.7 毫欧 @ 25A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.8V @ 22μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:18nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1300pF @ 40V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:* 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerTDFN 供应商器件封装:PG-TDSON-8 标准包装:1 BSC110N15NS5ATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 150V 76A 8TDSON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:150V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:76A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:8V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4.6V @ 91μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:35nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:2770pF @ 75V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:125W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:11 毫欧 @ 38A，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:PG-TDSON-8 封装/外壳:8-PowerTDFN 标准包装:1 BSC110N06NS3GATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 60V 50A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:50A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:11 毫欧 @ 50A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 23μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:33nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2700pF @ 30V 功率 - 最大值:50W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerTDFN 供应商器件封装:PG-TDSON-8 标准包装:1 BSC150N03LD G BSC150N03LDGATMA1 BSC152N10NSFGATMA1 BSC159N10LSF G BSC159N10LSFGATMA1 BSC160N10NS3GATMA1 BSC160N15NS5ATMA1 BSC16DN25NS3 G BSC16DN25NS3GATMA1 BSC190N12NS3GATMA1 BSC190N15NS3GATMA1 BSC196N10NSGATMA1 BSC200P03LSGAUMA1 BSC205N10LS G BSC22DN20NS3 G BSC22DN20NS3GATMA1 BSC240N12NS3 G BSC252N10NSFGATMA1

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