配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

BSM100GB170DLC
无锡固电半导体股份有限公司
无锡固电半导体股份有限公司
联系人：刘小姐
电话：15961889150
地址：江苏省无锡市新区新梅路68号
资质：营业执照
1000
isc/固电半导体
S106X61-7L
25+
-
国产品牌，替代进口

BSM100GB170DLC
深圳市琦凌凯科技有限公司
深圳市琦凌凯科技有限公司
联系人：彭先生
电话：1331648214918276240346
地址：深圳市福田区华强北街道荔村社区振兴路120号赛格科技园4栋中10层10A28
资质：营业执照
6000
INFINEON/英飞凌
MODULE
22+
-
十年配单，只做原装

BSM100GB170DLC
深圳市中平科技有限公司
深圳市中平科技有限公司
联系人：赖先生
电话：0755-8394638513632637322
地址：深圳市福田区深南中路2070号电子科技大厦A座27楼2702号
资质：营业执照
170
EUPEC
100A/1700V/IGBT/2U
2024+
-
全新现货价格优势

BSM100GB170DLC
深圳市海天鸿电子科技有限公司
深圳市海天鸿电子科技有限公司
联系人：彭小姐、刘先生、李小姐
电话：0755-82552857-80913528851884（周日专线）
地址：深圳市福田区中航路中航北苑大厦A座22A3号
资质：营业执照
7500
INFINEON
原厂原装
1650+
-
只做原装一手货源，代理商分销库存

BSM100GB170DLC
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：唐先生
电话：0755-8322569219129381337（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。
865000
Infineon
原厂封装
最新批号
-
代理此型号.原装特价现货！

BSM100GB170DLC
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室
资质：营业执照
5000
-
假一罚十，百分百原装正品

BSM100GB170DLC
深圳市一线半导体有限公司
深圳市一线半导体有限公司
联系人：谢小姐/钟先生/陈先生/陈小姐
电话：0755-88608801多线17727932378
地址：深圳市福田区华强北华强花园B9F
11630
Infineon
原厂原装
18+
-
原装正品，优势供应

BSM100GB170DLC
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
5000
INFINEON
1521+
-
全新原装现货

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功能描述
IGBT 模块 1700V 100A DUAL
RoHS
否
制造商
Infineon Technologies
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.95 V
在25 C的连续集电极电流
230 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
功率耗散
445 W
最大工作温度
+ 125 C
封装 / 箱体
34MM
封装

BSM100GB170DLC 技术参数

BSM080D12P2C008 功能描述:SIC POWER MODULE-1200V-80A 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:托盘零件状态:在售 FET 类型:2 个 N 沟道（双） FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:1200V（1.2kV）电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:80A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:- 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 13.2mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:800pF @ 10V 功率 - 最大值:600W 工作温度:175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:模块供应商器件封装:模块标准包装:1 BSM-015G-LF 功能描述:Pressure Sensor 15 PSI (103.42 kPa) Vented Gauge 0 mV ~ 79.5 mV (3V) 8-CLCC 制造商:all sensors corporation 系列:- 零件状态:过期压力类型:排气式压力计工作压力:15 PSI（103.42 kPa）输出类型:模拟电压输出:0 mV ~ 79.5 mV（3V）精度:±2% 电压 - 电源:6V 端口尺寸:- 端口样式:无端口特性:- 端子类型:表面贴装型最高压力:45 PSI（310.26 kPa）工作温度:-25°C ~ 85°C 封装/外壳:8-CLCC 供应商器件封装:8-LCC 标准包装:1 BSM 功能描述:9V MALE SNAP 制造商:mpd (memory protection devices) 系列:- 零件状态:有效电池类型，功能:9V，卡入式触点（单）样式:触点，卡入式（负极）电池尺寸:9V 电池数:- 电池系列:- 安装类型:自定义端子类型:- 板上高度:- 工作温度:- 标准包装:1,000 BSL806NL6327HTSA1 功能描述:MOSFET 2N-CH 20V 2.3A 6TSOP 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:2 个 N 沟道（双） FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:2.3A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:57 毫欧 @ 2.3A，2.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:750mV @ 11μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:1.7nC @ 2.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:259pF @ 10V 功率 - 最大值:500mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 供应商器件封装:PG-TSOP6-6 标准包装:1 BSL806NH6327XTSA1 功能描述:MOSFET 2 N-CH 20V 2.3A TSOP6-6 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:带卷（TR）零件状态:在售 FET 类型:2 个 N 沟道（双） FET 功能:逻辑电平栅极，1.8V 驱动漏源电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:2.3A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:57 毫欧 @ 2.3A，2.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:750mV @ 11μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:1.7nC @ 2.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:259pF @ 10V 功率 - 最大值:500mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 供应商器件封装:PG-TSOP6-6 标准包装:3,000 BSM200GB60DLC BSM200GB60DLCHOSA1 BSM2-C BSM2-X BSM300D12P2E001 BSM30GD60DLCE3224 BSM35GD120DN2 BSM35GP120 BSM35GP120BOSA1 BSM50GB170DN2HOSA1 BSM50GB60DLCHOSA1 BSM50GD120DN2G BSM50GP120 BSM50GP120BOSA1 BSM6-L BSM6-X BSM75GB170DN2HOSA1 BSM75GB60DLCHOSA1