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BSP320S E6327

配单专家企业名单
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  • BSP320S E6327
    BSP320S E6327

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  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人:唐先生

    电话:0755-8322569219129381337(微信同号)

    地址:广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。

  • 865000

  • INFINEON

  • 原厂封装

  • 最新批号

  • -
  • 一级代理.原装特价现货!

  • BSP320S E6327
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  • 深圳市众芯微电子有限公司
    深圳市众芯微电子有限公司

    联系人:陈小姐

    电话:0755-8320801015711992892

    地址:都会轩3607

    资质:营业执照

  • 9800

  • Infineon Technologies

  • PG-SOT223-4

  • 19+

  • -
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  • 1
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  • 功能描述
  • MOSFET N-CH 60V 2.9A SOT-223
  • RoHS
  • 类别
  • 分离式半导体产品 >> FET - 单
  • 系列
  • SIPMOS®
  • 标准包装
  • 1,000
  • 系列
  • MESH OVERLAY™
  • FET 型
  • MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点
  • 逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)
  • 200V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
  • 18A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
  • 180 毫欧 @ 9A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)
  • 4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs
  • 72nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds
  • 1560pF @ 25V
  • 功率 - 最大
  • 40W
  • 安装类型
  • 通孔
  • 封装/外壳
  • TO-220-3 整包
  • 供应商设备封装
  • TO-220FP
  • 包装
  • 管件
BSP320S E6327 技术参数
  • BSP3-208/240-LC 功能描述:SURGE PROTECTOR 208/240V DRIVER 制造商:thomas research products 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 电压 - 工作:240V 电压 - 箝位:1000V(1kV) 技术:混合技术 功率(W):- 电路数:1 应用:LED 保护 封装/外壳:模块,导线引线 供应商器件封装:- 标准包装:50 BSP3-208/240 功能描述:SURGE PROTECTOR 208/240V DRIVER 制造商:thomas research products 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 电压 - 工作:240V 电压 - 箝位:1000V(1kV) 技术:混合技术 功率(W):- 电路数:1 应用:LED 保护 封装/外壳:模块,导线引线 供应商器件封装:- 标准包装:50 BSP32,115 功能描述:TRANS PNP 80V 1A SOT223 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:Digi-Key 停止供應 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值):1A 电压 - 集射极击穿(最大值):80V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):500mV @ 50mA,500mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):40 @ 100mA,5V 功率 - 最大值:1.3W 频率 - 跃迁:100MHz 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA 供应商器件封装:SOT-223 基本零件编号:BSP32 标准包装:1 BSP318SL6327HTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 60V 2.6A SOT-223 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):2.6A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):90 毫欧 @ 2.6A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 20μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):20nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):380pF @ 25V 功率 - 最大值:1.8W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA 供应商器件封装:PG-SOT223-4 标准包装:1 BSP318SH6327XTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 60V 2.6A 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):2.6A(Tj) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):90 毫欧 @ 2.6A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 20μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):20nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):380pF @ 25V 功率 - 最大值:1.8W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA 供应商器件封装:PG-SOT223-4 标准包装:1 BSP324 E6327 BSP324H6327XTSA1 BSP324L6327HTSA1 BSP3-277 BSP3-277-20KA BSP3-277-20KA-TN BSP3-277-LC BSP33,115 BSP3-347 BSP3-347-LC BSP3-480 BSP3-480-20K BSP3-480-20KA BSP3-480-20KA-TN BSP3-480-LC BSP372 E6327 BSP372L6327HTSA1 BSP372NH6327XTSA1
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