BSS138DW7-07

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

BSS138DW7-07
深圳市深美诺电子科技有限公司
深圳市深美诺电子科技有限公司
联系人：李燕兵
电话：82525918
地址：深圳市福田区华强北路上步工业区101栋5楼517-532室
资质：营业执照
6000
SOT-23-
DIODES
22+
-
全新原装现货供应

BSS138DW7-07
深圳市硅宇电子有限公司
深圳市硅宇电子有限公司
联系人：唐先生
电话：134242936540755-83690762
地址：深圳市福田区福虹路世界贸易广场A座1503
资质：营业执照
6000
SOT-23-
DIODES
14+
-
原装现货/特价

1/1页 40条/页共40条
1

您是不是要找： BSS138DW-7-F BSS138DWQ-13 BSS138DWQ-7 BSS138-F085 BSS138K BSS138L BSS138LT1 BSS138LT1G BSS138LT3

BSS138DW7-07 PDF下载 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

BSS138DW7-07 技术参数

BSS138DW-7 功能描述:MOSFET 2N-CH 50V 0.2A SC70-6 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:停产 FET 类型:2 个 N 沟道（双） FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:50V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:200mA 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:3.5 欧姆 @ 220mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:50pF @ 10V 功率 - 最大值:200mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装:SOT-363 标准包装:1 BSS138-D87Z 功能描述:MOSFET N-CH 50V 0.22A SOT23 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:Digi-Key 停止供應 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:50V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:220mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:2.4nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:27pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:360mW（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:3.5 欧姆 @ 220mA，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:SOT-23-3 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 基本零件编号:BSS138 标准包装:1 BSS138BKW-BX 功能描述:MOSFET N-CHANNEL 60V 320MA SC70 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽车级，AEC-Q101 零件状态:停產 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:320mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.6V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:0.7nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:56pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:830mW（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1.6 欧姆 @ 320mA，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:SC-70 封装/外壳:SC-70，SOT-323 标准包装:3,000 BSS138BKW,115 功能描述:MOSFET N-CH 60V SOT323 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽车级，AEC-Q101，TrenchMOS? 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:320mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.6V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:0.7nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:56pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:260mW（Ta），830mW（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1.6 欧姆 @ 320mA，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:SOT-323-3 封装/外壳:SC-70，SOT-323 标准包装:1 BSS138BKVL 功能描述:MOSFET N-CH 60V 360MA TO236AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽车级，AEC-Q101 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:360mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.6V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:0.7nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:56pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:350mW（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1.6 欧姆 @ 350mA，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:TO-236AB 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 标准包装:10,000 BSS138LT3G BSS138N E6433 BSS138N E6908 BSS138N E7854 BSS138N E8004 BSS138N-E6327 BSS138NH6327XTSA2 BSS138NH6433XTMA1 BSS138NL6327HTSA1 BSS138NL6433HTMA1 BSS138P,215 BSS138PS,115 BSS138PW,115 BSS138Q-7-F BSS138TA BSS138TC BSS138W BSS138W E6327