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BSS229
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：唐先生
电话：0755-8322569219129381337（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。
865000
Siemens
TO-92
最新批号
-
一级代理.原装特价现货！

BSS229
深圳市中平科技有限公司
深圳市中平科技有限公司
联系人：赖先生
电话：0755-8394638513632637322
地址：深圳市福田区深南中路2070号电子科技大厦A座27楼2702号
资质：营业执照
3000
SIE
TO-92
2024+
-
诚诺原装现货

BSS229
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
5000
SIE
TO-92
08+
-
假一罚十，百分百原装正品

BSS229-E6296
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
3000
原厂品牌
标准封装
06+
-
全新原装100%正品保证质量

BSS229
深圳市煌盛达科技有限公司
深圳市煌盛达科技有限公司
联系人：王小姐
电话：13823538694
地址：平湖华南城华利嘉
资质：营业执照
12000
SIEMENS
原厂包装
20+
-
原装现货正品库存，自己库存。

BSS229
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
250000
INF
TO92
最新批次
-
OEM渠道，价格超越代理！

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1

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制造商
INFINEON
制造商全称
Infineon Technologies AG
功能描述
SIPMOS Small-Signal Transistor (N channel Depletion mode High dynamic resistance)

BSS229 技术参数

BSS225L6327HTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 600V 0.09A SOT-89 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包装:带卷（TR）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:90mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:45 欧姆 @ 90mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.3V @ 94μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:5.8nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:131pF @ 25V 功率 - 最大值:1W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-243AA 供应商器件封装:PG-SOT89 标准包装:1,000 BSS225H6327XTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 600V 90MA SOT89 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包装:带卷（TR）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:90mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:45 欧姆 @ 90mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.3V @ 94μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:5.8nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:131pF @ 25V 功率 - 最大值:1W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-243AA 供应商器件封装:PG-SOT89 标准包装:1,000 BSS225H6327FTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 600V 0.09A SOT-89 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:90mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:45 欧姆 @ 90mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.3V @ 94μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:5.8nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:131pF @ 25V 功率 - 最大值:1W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-243AA 供应商器件封装:PG-SOT89 标准包装:1 BSS225 功能描述:MOSFET N-CH 600V 0.09A SOT-89 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包装:带卷（TR）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:90mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:45 欧姆 @ 90mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.3V @ 94μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:5.8nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:131pF @ 25V 功率 - 最大值:1W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-243AA 供应商器件封装:PG-SOT89 标准包装:1,000 BSS223PWH6327XTSA1 功能描述:MOSFET P-CH 20V 390MA SOT-323 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极，2.5V 驱动漏源极电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:390mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1.2 欧姆 @ 390mA，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.2V @ 1.5μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:0.62nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:56pF @ 15V 功率 - 最大值:250mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-70，SOT-323 供应商器件封装:PG-SOT323-3 标准包装:1 BSS315P H6327 BSS315PH6327XTSA1 BSS315PL6327HTSA1 BSS316N H6327 BSS316NH6327XTSA1 BSS316NL6327HTSA1 BSS340NWH6327XTSA1 BSS44 BSS606NH6327XTSA1 BSS63 BSS63,215 BSS63LT1G BSS64 BSS64,215 BSS64LT1 BSS64LT1G BSS670S2L BSS670S2L H6327

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