配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

BTS7970B
深圳市琦凌凯科技有限公司
深圳市琦凌凯科技有限公司
联系人：彭先生
电话：1331648214918276240346
地址：深圳市福田区华强北街道荔村社区振兴路120号赛格科技园4栋中10层10A28
资质：营业执照
6000
英飞翎
P-TO263-7
22+
-
十年配单，只做原装

BTS7970B
深圳市中平科技有限公司
深圳市中平科技有限公司
联系人：赖先生
电话：0755-8394638513632637322
地址：深圳市福田区深南中路2070号电子科技大厦A座27楼2702号
资质：营业执照
19875
INFINEON
P-TO-263-7
2024+
-
绝对现货

BTS7970B
深圳市英科美电子有限公司
深圳市英科美电子有限公司
联系人：张先生
电话：0755-23903058
地址：深圳市福田区振兴路西101号华匀大厦1栋7F
16800
INFINEON/英飞凌
TO263-7
22+
-
每一片都来自原厂，正品保证

BTS7970B
深圳市深美诺电子科技有限公司
深圳市深美诺电子科技有限公司
联系人：李燕兵
电话：82525918
地址：深圳市福田区华强北路上步工业区101栋5楼517-532室
资质：营业执照
6000
INFINEO
TO263
22+
-
全新原装现货供应

BTS7970B
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：唐先生
电话：0755-8322569219129381337（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。
865000
INFINEON
SOT-263-7
最新批号
-
一级代理.原装特价现货！

BTS7970B
深圳市时兴宇电子有限公司
深圳市时兴宇电子有限公司
联系人：彭先生
电话：0755-830415598397218513430523058
地址：深圳市福田区华强北都会大厦A座19楼19G
7844
TO263-7
15+
-
绝对公司原装现货

BTS7970B
深圳市澳亿芯电子科技有限公司
深圳市澳亿芯电子科技有限公司
联系人：李先生
电话：13760200702
地址：深圳市龙岗区坂田街道五和大道山海商业广场C栋706
资质：营业执照
1000
INFINEON
TO-263-7
假一赔十！！
-
绝对原装现货！

BTS7970B
深圳市源运电子商行
深圳市源运电子商行
联系人：林先生
电话：15913992480
地址：深圳市龙岗区板田街道荔园新村55栋1楼
1100
INF
SOT263
16+
-

BTS7970B
深圳市华芯源电子有限公司
深圳市华芯源电子有限公司
联系人：张小姐
电话：1501927513013823545558
地址：深圳市福田区华强路华强广场D座16层18B
资质：营业执照
5443
TO263-7
-

BTS7970B
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
5000
INFINEON
P-TO-263-7
06+07+pb-f
-
假一罚十，百分百原装正品

BTS7970B
深圳市一线半导体有限公司
深圳市一线半导体有限公司
联系人：谢小姐/钟先生/陈先生/陈小姐
电话：0755-88608801多线17727932378
地址：深圳市福田区华强北华强花园B9F
9600
P-TO-263-7
INFINEON
17+
-
原装正品。优势供应

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制造商
INFINEON
制造商全称
Infineon Technologies AG
功能描述
High Current PN Half Bridge NovalithIC 68 A, 7 mз + 9 mз typ.

BTS7970B 技术参数

BTS7960P 功能描述:IC NOVALITHIC 1/2 BRIDGE TO220-7 RoHS:否类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 内部开关系列:NovalithIC™ 标准包装:1,000 系列:- 类型:高端/低端驱动器输入类型:SPI 输出数:8 导通状态电阻:850 毫欧，1.6 欧姆电流 - 输出 / 通道:205mA，410mA 电流 - 峰值输出:500mA，1A 电源电压:9 V ~ 16 V 工作温度:-40°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:20-SOIC（0.295"，7.50mm 宽）供应商设备封装:PG-DSO-20-45 包装:带卷 (TR) BTS7960B 功能描述:IC NOVALITHIC 1/2 BRIDGE TO263-7 RoHS:否类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 内部开关系列:NovalithIC™ 标准包装:1,000 系列:- 类型:高端/低端驱动器输入类型:SPI 输出数:8 导通状态电阻:850 毫欧，1.6 欧姆电流 - 输出 / 通道:205mA，410mA 电流 - 峰值输出:500mA，1A 电源电压:9 V ~ 16 V 工作温度:-40°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:20-SOIC（0.295"，7.50mm 宽）供应商设备封装:PG-DSO-20-45 包装:带卷 (TR) BTS7930B 功能描述:IC NOVALITHIC 1/2 BRIDGE TO263-7 RoHS:否类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 内部开关系列:NovalithIC™ 标准包装:1,000 系列:- 类型:高端/低端驱动器输入类型:SPI 输出数:8 导通状态电阻:850 毫欧，1.6 欧姆电流 - 输出 / 通道:205mA，410mA 电流 - 峰值输出:500mA，1A 电源电压:9 V ~ 16 V 工作温度:-40°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:20-SOIC（0.295"，7.50mm 宽）供应商设备封装:PG-DSO-20-45 包装:带卷 (TR) BTS7904SAKSA1 功能描述:MOSFET N/P-CH 55V/30V 40A TO220 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:管件零件状态:过期 FET 类型:N 和 P 沟道 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:55V，30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:40A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:12 毫欧 @ 20A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 40μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:123nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:6100pF @ 25V 功率 - 最大值:69W，96W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-220-5 供应商器件封装:PG-TO220-5-13 标准包装:500 BTS7904BATMA1 功能描述:MOSFET N/P-CH 55V/30V 40A TO263 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:带卷（TR）零件状态:过期 FET 类型:N 和 P 沟道 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:55V，30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:40A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:11.7 毫欧 @ 20A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 40μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:121nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:6100pF @ 25V 功率 - 最大值:69W，96W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-263-6，D2Pak（5 引线+接片），TO-263BA 供应商器件封装:PG-TO263-5 标准包装:1,000 BTT60501EKAXUMA1 BTT60502EKAXUMA1 BTT61002EKAXUMA1 BTT62001EJAXUMA1 BTT62004EMAXUMA1 BTW67-1000 BTW67-200 BTW67-600 BTW68-1000RG BTW68-1200RG BTW68-200RG BTW68-600RG BTW68-800RG BTW69-1000RG BTW69-1200N BTW69-1200RG BTW69-200RG BTW69-600RG