BYV255V-200全国供应商 BYV255V-200资料|PDF Datasheet|价格【ST 意法半导体】

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价格
说明
操作

BYV255V-200
无锡固电半导体股份有限公司
无锡固电半导体股份有限公司
联系人：刘小姐
电话：15961889150
地址：江苏省无锡市新区新梅路68号
资质：营业执照
1000
isc/固电半导体
ISOTOP，SOT-227
25+
-
国产品牌，替代进口

BYV255V-200
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：唐先生
电话：0755-8322569219129381337（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。
865000
STMIC
原厂封装
最新批号
-
代理此型号，原装正品现货！

BYV255V-200
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
5000
ST
模块
01+
-
假一罚十，百分百原装正品

BYV255V-200
深圳市众芯微电子有限公司
深圳市众芯微电子有限公司
联系人：陈小姐
电话：0755-8320801015711992892
地址：都会轩3607
资质：营业执照
86900
STMicroelectronics
ISOTOP?
18+
-
Diode Array 2 Indepe...

BYV255V-200
深圳市兴合盛科技发展有限公司
深圳市兴合盛科技发展有限公司
联系人：销售部经理：马先生
电话：0755-8335078918923859456
地址：深圳市福田区华强北上步工业区8栋829/北京市海淀区中关村中银街168-9号/香港办事处:香港大理石
资质：营业执照
256
STMicroelectronics
标准封装
23+
-
真实的资源竭诚服务您！

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1

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功能描述
整流器 2X100 Amp 200 Volt
RoHS
否
制造商
Vishay Semiconductors
产品
Standard Recovery Rectifiers
配置
反向电压
100 V
正向电压下降
恢复时间
1.2 us
正向连续电流
2 A
最大浪涌电流
35 A
反向电流 IR
5 uA
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DO-221AC
封装
Reel

BYV255V-200 技术参数

BYV16-TR 功能描述:Diode Avalanche 1000V (1kV) 1.5A Through Hole SOD-57 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效二极管类型:雪崩电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:1000V（1kV）电流 - 平均整流（Io）:1.5A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.5V @ 1A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:300ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 1000V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:通孔封装/外壳:SOD-57，轴向供应商器件封装:SOD-57 工作温度 - 结:-55°C ~ 175°C 标准包装:5,000 BYV16-TAP 功能描述:Diode Avalanche 1000V (1kV) 1.5A Through Hole SOD-57 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包装:带盒（TB）零件状态:有效二极管类型:雪崩电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:1000V（1kV）电流 - 平均整流（Io）:1.5A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.5V @ 1A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:300ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 1000V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:通孔封装/外壳:SOD-57，轴向供应商器件封装:SOD-57 工作温度 - 结:-55°C ~ 175°C 标准包装:5,000 BYV15-TR 功能描述:Diode Avalanche 800V 1.5A Through Hole SOD-57 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效二极管类型:雪崩电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:800V 电流 - 平均整流（Io）:1.5A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.5V @ 1A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:300ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 800V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:通孔封装/外壳:SOD-57，轴向供应商器件封装:SOD-57 工作温度 - 结:-55°C ~ 175°C 标准包装:5,000 BYV15-TAP 功能描述:Diode Avalanche 800V 1.5A Through Hole SOD-57 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包装:带盒（TB）零件状态:有效二极管类型:雪崩电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:800V 电流 - 平均整流（Io）:1.5A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.5V @ 1A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:300ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 800V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:通孔封装/外壳:SOD-57，轴向供应商器件封装:SOD-57 工作温度 - 结:-55°C ~ 175°C 标准包装:5,000 BYV14-TR 功能描述:Diode Avalanche 600V 1.5A Through Hole SOD-57 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效二极管类型:雪崩电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（Io）:1.5A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.5V @ 1A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:300ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 600V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:通孔封装/外壳:SOD-57，轴向供应商器件封装:SOD-57 工作温度 - 结:-55°C ~ 175°C 标准包装:5,000 BYV26B-TAP BYV26B-TR BYV26C-TAP BYV26C-TR BYV26DGP-E3/54 BYV26DGP-E3/73 BYV26DGPHE3/54 BYV26DGPHE3/73 BYV26D-TAP BYV26D-TR BYV26EGP-E3/54 BYV26EGP-E3/73 BYV26EGPHE3/54 BYV26EGPHE3/73 BYV26E-TAP BYV26E-TR BYV27-050-TAP BYV27-050-TR

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