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BSP149

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  • BSP149
    BSP149

    BSP149

  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
    深圳市毅创辉电子科技有限公司

    联系人:何芝

    电话:19129491934(手机优先微信同号)0755-82865099

    地址:深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室

    资质:营业执照

  • 3258

  • 代理优势

  • 品质保证

  • 1325

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  • 原装正品,现货库存!

  • BSP149H6327XTSA1
    BSP149H6327XTSA1

    BSP149H6327XTSA1

  • 科创特电子(香港)有限公司
    科创特电子(香港)有限公司

    联系人:

    电话:0755-83014603

    地址:深圳市福田区深南中路3006号佳和大厦B座907

  • 1000

  • INFINEON APAC (CHINA)

  • 主营优势

  • 19+

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  • 100%原装正品★终端免费供样★

  • BSP149 L6327
    BSP149 L6327

    BSP149 L6327

  • 深圳市华雄半导体(集团)有限公司
    深圳市华雄半导体(集团)有限公司

    联系人:雷精云

    电话:18988598856

    地址:深圳龙岗区棕科云端大厦1栋B座15层

    资质:营业执照

  • 4209

  • INFINEON

  • SOT-223

  • 2235+

  • -
  • 十年专营,供应原装正品!热卖现货!

  • BSP149L6327
    BSP149L6327

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  • 深圳市轩盛达电子有限公司
    深圳市轩盛达电子有限公司

    联系人:

    电话:1588932848313924772445

    地址:深圳市福田区华强北街道深南中路3006号佳和华强大厦五楼5C103

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  • 深圳市鹏威尔科技有限公司
    深圳市鹏威尔科技有限公司

    联系人:胡庆伟

    电话:13138879988

    地址:深圳市宝安区新安街道翻身路117号 富源商贸中心D栋601

  • 67263

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  • 制造商
  • Infineon Technologies
  • 功能描述
  • Bulk
  • 制造商
  • Infineon Technologies AG
  • 功能描述
  • MOSFET N SOT-223
  • 制造商
  • Infineon Technologies AG
  • 功能描述
  • MOSFET, N, SOT-223
  • 制造商
  • Infineon Technologies AG
  • 功能描述
  • N CH MOSFET, 200V, 480mA, SOT-223; Transistor Polarity
  • 制造商
  • Infineon Technologies AG
  • 功能描述
  • MOSFET N-Channel 200V 0.66A SOT223
BSP149 技术参数
  • BSP14-3K 功能描述:Terminal Butt Splice, Inline, Individual Openings Connector Crimp 14-18 AWG Blue 制造商:panduit corp 系列:Pan-Term? 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 端子类型:对接接头,直插式,单独开口 进线数:2 端接:压接 线规:14-18 AWG 绝缘:完全绝缘 特性:铜焊缝 颜色:蓝色 标准包装:1 BSP135L6906HTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包装:带卷(TR) 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:耗尽模式 漏源极电压(Vdss):600V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):120mA(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):45 欧姆 @ 120mA,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1V @ 94μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):4.9nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):146pF @ 25V 功率 - 最大值:1.8W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA 供应商器件封装:PG-SOT223-4 标准包装:1,000 BSP135L6433HTMA1 功能描述:MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:耗尽模式 漏源极电压(Vdss):600V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):120mA(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):45 欧姆 @ 120mA,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1V @ 94μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):4.9nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):146pF @ 25V 功率 - 最大值:1.8W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA 供应商器件封装:PG-SOT223-4 标准包装:1 BSP135L6327HTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包装:带卷(TR) 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:耗尽模式 漏源极电压(Vdss):600V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):120mA(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):45 欧姆 @ 120mA,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1V @ 94μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):4.9nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):146pF @ 25V 功率 - 最大值:1.8W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA 供应商器件封装:PG-SOT223-4 标准包装:1,000 BSP135H6906XTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:耗尽模式 漏源极电压(Vdss):600V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):120mA(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):45 欧姆 @ 120mA,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1V @ 94μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):4.9nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):146pF @ 25V 功率 - 最大值:1.8W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA 供应商器件封装:PG-SOT223-4 标准包装:1,000 BSP170PE6327T BSP170PH6327XTSA1 BSP170PL6327HTSA1 BSP171PE6327 BSP171PE6327T BSP171PH6327XTSA1 BSP171PL6327HTSA1 BSP179H6327XTSA1 BSP18-3K BSP19,115 BSP19AT1 BSP19AT1G BSP19TA BSP220,115 BSP225,115 BSP230,135 BSP250,115 BSP250,135
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