CPH3348-TL-W

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CPH3348-TL-W
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：唐先生
电话：0755-8322569219129381337（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。
865000
ONSemicon
原厂封装
最新批号
-
一级代理.原装特价现货！

CPH3348-TL-W
中山市翔美达电子科技有限公司
中山市翔美达电子科技有限公司
联系人：朱小姐
电话：155020706551802218672813590991023
地址：火炬开发区中山港大道99号金盛广场1栋613室
6000
ON
SOP
22+
-
公司全新原装正品现货

CPH3348-TL-W
深圳市百域芯科技有限公司
深圳市百域芯科技有限公司
联系人：许先生
电话：18898761413
地址：华强北都会轩4507
资质：营业执照
30000
ON/安森美
SMD
24+
-
原装正品，可含税供应。品质保障

CPH3348-TL-W
深圳市安博威科技有限公司
深圳市安博威科技有限公司
联系人：吴
电话：18320850923
地址：深圳市福田区华强北路赛格广场1713室
6000
ON/安森美
SMD
20+
-
订货中可预订

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功能描述
MOSFET P-CH 12V 3A CPH3
制造商
on semiconductor
系列
-
包装
剪切带（CT）
零件状态
有效
FET 类型
MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 功能
逻辑电平栅极，1.8V 驱动
漏源极电压（Vdss）
12V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
3A（Ta）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）
70 毫欧 @ 1.5A，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
1.4V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）
5.6nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）
405pF @ 6V
功率 - 最大值
1W
工作温度
150°C（TJ）
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装
3-CPH
标准包装
1

CPH3348-TL-W 技术参数

CPH3348-TL-E 功能描述:MOSFET P-CH 12V 3A CPH3 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:停产 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极，1.8V 驱动漏源极电压（Vdss）:12V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:3A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:70 毫欧 @ 1.5A，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:5.6nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:405pF @ 6V 功率 - 最大值:1W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-96 供应商器件封装:3-CPH 标准包装:1 CPH3341-TL-E 功能描述:MOSFET P-CH 30V 5A CPH3 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极，4V 驱动漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:5A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:45 毫欧 @ 2.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:21.8nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1115pF @ 10V 功率 - 最大值:1.2W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-96 供应商器件封装:3-CPH 标准包装:1 CPH3340-TL-E 功能描述:MOSFET P-CH 20V 5A CPH3 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极，2.5V 驱动漏源极电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:5A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:45 毫欧 @ 2.5A，4V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:16nC @ 4V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1875pF @ 10V 功率 - 最大值:1.2W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-96 供应商器件封装:3-CPH 标准包装:1 CPH3327-TL-E 功能描述:MOSFET P-CH 100V 0.6A CPH3 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极，4V 驱动漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:600mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1.45 欧姆 @ 300mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:7nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:245pF @ 20V 功率 - 最大值:1W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-96 供应商器件封装:3-CPH 标准包装:1 CPH3324-TL-E 功能描述:MOSFET P-CH 60V 1.2A CPH3 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极，4V 驱动漏源极电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:1.2A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:530 毫欧 @ 600mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:6.4nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:265pF @ 20V 功率 - 最大值:1W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-96 供应商器件封装:3-CPH 标准包装:1 CPH3362-TL-W CPH3427-TL-E CPH3430-TL-E CPH3442-TL-E CPH3448-TL-H CPH3448-TL-W CPH3455-TL-H CPH3455-TL-W CPH3456-TL-H CPH3456-TL-W CPH3457-TL-H CPH3457-TL-W CPH3459-TL-W CPH3461-TL-H CPH3461-TL-W CPH3462-TL-W CPH38W23FGE3SK9X CPH38W23MARARK9X