配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

CPH3350-TL-H-VB
天阳诚业科贸有限公司
天阳诚业科贸有限公司
联系人：洪宝宇
电话：17862669251
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦503
资质：营业执照
386006
VBSEMI
con
24+
-

CPH3350-TL-H-VB
北京京北通宇电子元件有限公司
北京京北通宇电子元件有限公司
联系人：洪宝宇
电话：17862669251
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦505（京北通宇）
资质：营业执照
386006
VBSEMI
con
24+
-

CPH3350-TL-H
深圳市英科美电子有限公司
深圳市英科美电子有限公司
联系人：张先生
电话：0755-23903058
地址：深圳市福田区振兴路西101号华匀大厦1栋7F
19500
ON/SANYO
CPH3
22+
-
每一片都来自原厂，正品保证

CPH3350-TL-H-VB
深圳市德力诚信科技有限公司
深圳市德力诚信科技有限公司
联系人：王小姐
电话：13969210552
地址：上海市静安区恒丰路568号恒汇国际大厦903室
386006
VBSEMI
con
24+
-
现货常备京北通宇商城可查价格

CPH3350-TL-H
北京首天伟业科技有限公司
北京首天伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址： 广东省深圳市福田区华强北街道电子科技大厦C座23E
资质：营业执照
5000
ON Semiconductor
标准封装
15+
-
百分百原装假一罚十

CPH3350-TL-H
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：唐先生
电话：0755-8322569219129381337（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。
865000
SANYO
CPH-3
最新批号
-
代理此型号.原装正品现货！

CPH3350-TL-H
深圳市时兴宇电子有限公司
深圳市时兴宇电子有限公司
联系人：彭先生
电话：0755-830415598397218513430523058
地址：深圳市福田区华强北都会大厦A座19楼19G
9894
SANYO
SOT23
13+
-
绝对公司原装现货

CPH3350-TL-H
深圳市芯驰科技有限公司
深圳市芯驰科技有限公司
联系人：丁皓鹏
电话：1866538497818124166365
地址：福田街道深南中路3029号南光捷佳大厦2331
资质：营业执照
8000
ON
.
16+
-
原装现货

CPH3350-TL-H
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
6350
ON SEMICO
1521+
-
全新原装现货

CPH3350-TL-H
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：何芝
电话：19129491934(手机优先微信同号)0755-82865099
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
6755
ON Semiconductor
SC-59
201321
-
原装正品，现货库存。400-800-03...

CPH3350-TL-H
深圳市轩盛达电子有限公司
深圳市轩盛达电子有限公司
联系人：陈
电话：1588932848313924772445
地址：深圳市福田区华强北街道深南中路3006号佳和华强大厦五楼5C103
10000
-
原厂原装现货，代找紧缺料

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功能描述
MOSFET PCH 1.8V DRIVE SERIES
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶体管极性
N-Channel
汲极/源极击穿电压
650 V
闸/源击穿电压
25 V
漏极连续电流
130 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）
0.014 Ohms
配置
Single
最大工作温度
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
Max247
封装
Tube

CPH3350-TL-H 技术参数

CPH3348-TL-W 功能描述:MOSFET P-CH 12V 3A CPH3 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极，1.8V 驱动漏源极电压（Vdss）:12V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:3A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:70 毫欧 @ 1.5A，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:5.6nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:405pF @ 6V 功率 - 最大值:1W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:3-CPH 标准包装:1 CPH3348-TL-E 功能描述:MOSFET P-CH 12V 3A CPH3 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:停产 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极，1.8V 驱动漏源极电压（Vdss）:12V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:3A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:70 毫欧 @ 1.5A，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:5.6nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:405pF @ 6V 功率 - 最大值:1W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-96 供应商器件封装:3-CPH 标准包装:1 CPH3341-TL-E 功能描述:MOSFET P-CH 30V 5A CPH3 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极，4V 驱动漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:5A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:45 毫欧 @ 2.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:21.8nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1115pF @ 10V 功率 - 最大值:1.2W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-96 供应商器件封装:3-CPH 标准包装:1 CPH3340-TL-E 功能描述:MOSFET P-CH 20V 5A CPH3 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极，2.5V 驱动漏源极电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:5A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:45 毫欧 @ 2.5A，4V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:16nC @ 4V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1875pF @ 10V 功率 - 最大值:1.2W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-96 供应商器件封装:3-CPH 标准包装:1 CPH3327-TL-E 功能描述:MOSFET P-CH 100V 0.6A CPH3 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极，4V 驱动漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:600mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1.45 欧姆 @ 300mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:7nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:245pF @ 20V 功率 - 最大值:1W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-96 供应商器件封装:3-CPH 标准包装:1 CPH3362-TL-W CPH3427-TL-E CPH3430-TL-E CPH3442-TL-E CPH3448-TL-H CPH3448-TL-W CPH3455-TL-H CPH3455-TL-W CPH3456-TL-H CPH3456-TL-W CPH3457-TL-H CPH3457-TL-W CPH3459-TL-W CPH3461-TL-H CPH3461-TL-W CPH3462-TL-W CPH38W23FGE3SK9X CPH38W23MARARK9X

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