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CRS20I40A(TE85L,QM)

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CRS20I40A(TE85L,QM)
深圳市鸿昌盛电子科技有限公司
深圳市鸿昌盛电子科技有限公司
联系人：陈小姐
电话：13428937514
地址：门市: 新华强广场2楼公司: 深圳市福田区华强北路赛格广场58楼5813室
资质：营业执照
3000
TOSHIBA
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公司现货!只做原装!

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CRS20I40A(TE85L,QM) 技术参数

CRS20I40A(TE85L,QM 功能描述:DIODE SCHOTTKY 40V 2A S-FLAT 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 零件状态:在售二极管类型:肖特基电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:40V 电流 - 平均整流（Io）:2A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:600mV @ 2A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:60μA @ 40V 不同?Vr，F 时的电容:35pF @ 10V，1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:SOD-123F 供应商器件封装:S-FLAT（1.6x3.5）工作温度 - 结:150°C（最大）标准包装:3,000 CRS20I30B(TE85L,QM 功能描述:DIODE SCHOTTKY 30V 2A S-FLAT 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 零件状态:在售二极管类型:肖特基电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:30V 电流 - 平均整流（Io）:2A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:450mV @ 2A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100μA @ 30V 不同?Vr，F 时的电容:82pF @ 10V，1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:SOD-123F 供应商器件封装:S-FLAT（1.6x3.5）工作温度 - 结:150°C（最大）标准包装:3,000 CRS20I30A(TE85L,QM 功能描述:Diode Schottky 30V 2A Surface Mount S-FLAT (1.6x3.5) 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效二极管类型:肖特基电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:30V 电流 - 平均整流（Io）:2A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:490mV @ 2A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:60μA @ 30V 不同?Vr，F 时的电容:50pF @ 10V，1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:SOD-123F 供应商器件封装:S-FLAT（1.6x3.5）工作温度 - 结:150°C（最大）标准包装:3,000 CRS2010-JX-100ELF 功能描述:RES SMD 10 OHM 5% 1W 2010 制造商:bourns inc. 系列:CRS 包装:剪切带（CT）零件状态:有效电阻（欧姆）:10 容差:±5% 功率（W）:1W 成分:厚膜特性:高电压，脉冲耐受温度系数:±100ppm/°C 工作温度:-55°C ~ 155°C 封装/外壳:2010（5025 公制）供应商器件封装:2010 大小/尺寸:0.197" 长 x 0.098" 宽（5.00mm x 2.50mm）高度:0.026"（0.65mm）端子数:2 标准包装:1 CRS2010-JW-4R7ELF 功能描述:RES SMD 4.7 OHM 5% 1W 2010 制造商:bourns inc. 系列:CRS 包装:剪切带（CT）零件状态:有效电阻（欧姆）:4.7 容差:±5% 功率（W）:1W 成分:厚膜特性:高电压，脉冲耐受温度系数:±200ppm/°C 工作温度:-55°C ~ 155°C 封装/外壳:2010（5025 公制）供应商器件封装:2010 大小/尺寸:0.197" 长 x 0.098" 宽（5.00mm x 2.50mm）高度:0.026"（0.65mm）端子数:2 标准包装:1 CRS2512-FX-10R0ELF CRS2512-FX-27R0ELF CRS2512-FX-47R0ELF CRS2512-JW-4R7ELF CRS2512-JX-100ELF CRS2512-JX-102ELF CRS3 CRS30I30A(TE85L,QM CRS30I40A(TE85L,QM CRS4 CRS4-125-X CRS505 CRS512 CRS6 CRS6-X CRS7 CRSH2-10 BK CRSH2-10 TR