CRZ18(TE85L,Q)全国供应商【买卖IC网】CRZ18(TE85L,Q)资料|PDF Datasheet|价格

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价格
说明
操作

CRZ18(TE85L,Q)
优势
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：王金英
电话：077-8326952815602945519
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
39125
sod123
toshiba
1205+
-
★★诚信经营，原盒原装现货库存商★★

CRZ18(TE85L,Q)
优势
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：谭玉丽
电话：19129491949(手机优先微信同号)0755-83267816
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
39125
sod123
toshiba
1205+
-
★★诚信经营，原盒原装现货库存商★★

CRZ18(TE85L,Q)
深圳市芯脉实业有限公司
深圳市芯脉实业有限公司
联系人：曹先生/高先生/周小姐
电话：134878658521852080514813760272017
地址：深圳市龙岗区坂田街道南坑社区雅宝路1号星河WORLDA2203A室
86267
Toshiba Semiconductor and
SOD-123F
25+
-
全球渠道、原厂正品、信誉保障、闪电发货

CRZ18(TE85L,Q)
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
6000
TOSHIBA
SOD123
15+
-
原装正品，假一罚十

1/1页 40条/页共17条
1

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功能描述
稳压二极管 Diode Zener 18V .7W
RoHS
否
制造商
Vishay Semiconductors
齐纳电压
12 V
电压容差
5 %
电压温度系数
0.075 % / K
齐纳电流
功率耗散
3 W
最大反向漏泄电流
3 uA
最大齐纳阻抗
7 Ohms
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DO-214AC
封装
Reel

CRZ18(TE85L,Q) 技术参数

CRZ16(TE85L,Q,M) 功能描述:X35 PB-F DIODE S-FLAT MOQ=3000 V 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:16V 容差:±10% 功率 - 最大值:700mW 阻抗（最大值）（Zzt）:30 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 11V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1V @ 200mA 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SOD-123F 供应商器件封装:S-FLAT（1.6x3.5）标准包装:3,000 CRZ16(TE85L,Q) 功能描述:Zener Diode 16V 700mW ±10% Surface Mount S-FLAT (1.6x3.5) 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:停产电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:16V 容差:±10% 功率 - 最大值:700mW 阻抗（最大值）（Zzt）:30 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 11V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1V @ 200mA 工作温度:-40°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:SOD-123F 供应商器件封装:S-FLAT（1.6x3.5）标准包装:1 CRZ15(TE85L,Q,M) 功能描述:Zener Diode 15V 700mW ±10% Surface Mount S-FLAT (1.6x3.5) 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:停产电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:15V 容差:±10% 功率 - 最大值:700mW 阻抗（最大值）（Zzt）:30 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 10V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1V @ 200mA 工作温度:-40°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:SOD-123F 供应商器件封装:S-FLAT（1.6x3.5）标准包装:1 CRZ13(TE85L,Q,M) 功能描述:X35 PB-F DIODE S-FLAT MOQ=3000 V 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:13V 容差:±10% 功率 - 最大值:700mW 阻抗（最大值）（Zzt）:30 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 9V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1V @ 200mA 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SOD-123F 供应商器件封装:S-FLAT（1.6x3.5）标准包装:3,000 CRZ12(TE85L,Q,M) 功能描述:X35 PB-F DIODE S-FLAT MOQ=3000 V 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:12V 容差:±10% 功率 - 最大值:700mW 阻抗（最大值）（Zzt）:30 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 8V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1V @ 200mA 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SOD-123F 供应商器件封装:S-FLAT（1.6x3.5）标准包装:3,000 CRZ36(TE85L,Q,M) CRZ39(TE85L,Q,M) CRZ43(TE85L,Q,M) CRZ47(TE85L,Q) CRZ47(TE85L,Q,M) CS 60 US CS/XMAS-6F CS00 CS00094AC-J5-DCC-32.7707 CS00094AC-J5-DCC-32.7707E CS00095AC-J1-DCC-32.7707 CS00095AC-J1-DCC-32.7707E CS00096AC-J1-18E-0032.7707 CS00096AC-J1-18E-0032.7707E CS-00505 CS-00510 CS-00516 CS0068-000

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