CSD17578Q5AT全国供应商 CSD17578Q5AT资料|PDF Datasheet|价格【TI 德州仪器】

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

CSD17578Q5AT
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室
资质：营业执照
0
原厂封装
10000
16+/17+
-
百分百原装正品假一赔十电话010-62...

CSD17578Q5AT
深圳市芯驰科技有限公司
深圳市芯驰科技有限公司
联系人：丁皓鹏
电话：1866538497818124166365
地址：福田街道深南中路3029号南光捷佳大厦2331
资质：营业执照
100000
TEXAS INSTRUMENTS
N/A
15+
-
原装正品价格优势！

CSD17578Q5AT
深圳市德江源电子有限公司
深圳市德江源电子有限公司
联系人：张先生
电话：8296641615986789713
地址：深圳市福田区华强北街道振华路100号深纺大厦C座1A层1A621室
资质：营业执照
250
TI/德州仪器
VSONP-8
-
只做原装，假一赔十

CSD17578Q5AT
深圳市瑞智芯科技有限公司
深圳市瑞智芯科技有限公司
联系人：朱先生
电话：0755-82999903
地址：深圳市福田区中航路42号中航北苑大厦C座6C3
29261
TI/德州仪器
N/A
21+
-
瑞智芯，只有原装

CSD17578Q5AT
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
6150
TEXAS INS
剪切带（CT
1521+
-
全新原装现货

CSD17578Q5AT
深圳市瑞智芯科技有限公司
深圳市瑞智芯科技有限公司
联系人：李先生
电话：0755-8308997518573537851
地址：深圳市福田区中航路42号中航北苑大厦C座6C3
资质：营业执照
0
Ti
(DQJ)
20
-
瑞智芯只有原装

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1

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功能描述
MOSFET N-CH 30V 25A 8VSON
制造商
texas instruments
系列
NexFET??
包装
剪切带（CT）
零件状态
有效
FET 类型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能
标准
漏源极电压（Vdss）
30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
25A（Ta）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）
6.9 毫欧 @ 10A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
1.9V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）
22.3nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）
1510pF @ 15V
功率 - 最大值
3.1W
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装
封装/外壳
8-PowerTDFN
供应商器件封装
8-VSON（5x6）
标准包装
1

CSD17578Q5AT 技术参数

CSD17578Q3AT 功能描述:MOSFET N-CH 30V 35A 8VSON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:20A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:7.3 毫欧 @ 10A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.9V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:22.2nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1590pF @ 15V 功率 - 最大值:3.2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerVDFN 供应商器件封装:8-VSONP（3x3.15）标准包装:1 CSD17578Q3A 功能描述:MOSFET N-CH 30V 35A 8VSON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:20A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:7.3 毫欧 @ 10A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.9V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:22.2nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1590pF @ 15V 功率 - 最大值:3.2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerVDFN 供应商器件封装:8-VSONP（3x3.15）标准包装:1 CSD17577Q5AT 功能描述:MOSFET N-CH 30V 60A 8VSON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:60A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:4.2 毫欧 @ 18A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.8V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:35nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2310pF @ 15V 功率 - 最大值:3W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerVDFN 供应商器件封装:8-VSONP（3x3.15）标准包装:1 CSD17577Q5A 功能描述:MOSFET N-CH 30V 60A 8VSON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:60A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:4.2 毫欧 @ 18A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.8V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:35nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2310pF @ 15V 功率 - 最大值:3W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerVDFN 供应商器件封装:8-VSONP（3x3.15）标准包装:1 CSD17577Q3AT 功能描述:MOSFET N-CH 30V 35A 8VSON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:35A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:4.8 毫欧 @ 16A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.8V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:35nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2310pF @ 15V 功率 - 最大值:2.8W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerVDFN 供应商器件封装:8-VSONP（3x3.15）标准包装:1 CSD17585F5T CSD18501Q5A CSD18502KCS CSD18502Q5B CSD18502Q5BT CSD18503KCS CSD18503Q5A CSD18503Q5AT CSD18504KCS CSD18504Q5A CSD18504Q5AT CSD18509Q5B CSD18509Q5BT CSD18510KCS CSD18510KTT CSD18510KTTT CSD18510Q5B CSD18510Q5BT