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CSD18514Q5AT

配单专家企业名单
  • 型号
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  • 封装
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  • 说明
  • 操作
  • CSD18514Q5AT
    CSD18514Q5AT

    CSD18514Q5AT

  • 北京京北通宇电子元件有限公司
    北京京北通宇电子元件有限公司

    联系人:洪宝宇

    电话:17862669251

    地址:北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦505(京北通宇)

    资质:营业执照

  • 321219

  • TI

  • con

  • 24+

  • -
  • CSD18514Q5AT
    CSD18514Q5AT

    CSD18514Q5AT

  • 天阳诚业科贸有限公司
    天阳诚业科贸有限公司

    联系人:洪宝宇

    电话:17862669251

    地址:北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦503

    资质:营业执照

  • 321219

  • TI

  • con

  • 24+

  • -
  • CSD18514Q5AT
    CSD18514Q5AT

    CSD18514Q5AT

  • 深圳市德力诚信科技有限公司
    深圳市德力诚信科技有限公司

    联系人:王小姐

    电话:13969210552

    地址:上海市静安区恒丰路568号恒汇国际大厦903室

  • 321219

  • TI

  • con

  • 24+

  • -
  • 现货常备京北通宇商城可查价格

  • CSD18514Q5AT
    CSD18514Q5AT

    CSD18514Q5AT

  • 深圳市德力诚信科技有限公司
    深圳市德力诚信科技有限公司

    联系人:王小姐

    电话:13969210552

    地址:深圳市福田区深南中路3031号汉国中心3204室

    资质:营业执照

  • 321219

  • TI

  • con

  • 24+

  • -
  • 优势库存,原装正品

  • CSD18514Q5AT
    CSD18514Q5AT

    CSD18514Q5AT

  • 深圳市瑞智芯科技有限公司
    深圳市瑞智芯科技有限公司

    联系人:朱先生

    电话:0755-82999903

    地址:深圳市福田区中航路42号中航北苑大厦C座6C3

  • 29267

  • TI/德州仪器

  • N/A

  • 21+

  • -
  • 瑞智芯, 只有原装

  • CSD18514Q5AT
    CSD18514Q5AT

    CSD18514Q5AT

  • 深圳市瑞智芯科技有限公司
    深圳市瑞智芯科技有限公司

    联系人:李先生

    电话:0755-8308997518573537851

    地址:深圳市福田区中航路42号中航北苑大厦C座6C3

    资质:营业执照

  • 0

  • Ti

  • (DQJ)

  • 21

  • -
  • 瑞智芯 只有原装

  • CSD18514Q5AT/CSD18514Q5A
    CSD18514Q5AT/CSD18514Q5A

    CSD18514Q5AT/CSD18514Q5A

  • 深圳市华雄半导体(集团)有限公司
    深圳市华雄半导体(集团)有限公司

    联系人:苗凤军

    电话:17623594308

    地址:深圳龙岗区棕科云端大厦1栋B座15层

    资质:营业执照

  • 3490

  • TI/华雄半导体

  • VSONP-8

  • 2207+

  • -
  • 十年专营,供应原装正品!热卖现货!

  • 1/1页 40条/页 共2条 
  • 1
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  • 功能描述
  • 40V N-CHANNEL NEXFET POWER MOSF
  • 制造商
  • texas instruments
  • 系列
  • NexFET??
  • 包装
  • 剪切带(CT)
  • 零件状态
  • 在售
  • FET 类型
  • N 沟道
  • 技术
  • MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)
  • 40V
  • 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
  • 89A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
  • 4.5V,10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
  • 2.4V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
  • 40nC @ 10V
  • Vgs(最大值)
  • ±20V
  • 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
  • 2683pF @ 20V
  • FET 功能
  • -
  • 功率耗散(最大值)
  • 74W(Tc)
  • 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
  • 7.9 毫欧 @ 15A,10V
  • 工作温度
  • -55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型
  • 表面贴装
  • 供应商器件封装
  • 8-VSONP(5x6)
  • 封装/外壳
  • 8-PowerTDFN
  • 标准包装
  • 1
CSD18514Q5AT 技术参数
  • CSD18514Q5A 功能描述:40V N CH MOSFET 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):40V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):89A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):40nC @ 20V Vgs(最大值):±20V FET 功能:- 功率耗散(最大值):74W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):7.9 毫欧 @ 15A,10V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:8-VSONP(5x6) 封装/外壳:8-PowerTDFN 标准包装:1 CSD18513Q5AT 功能描述:40V N-CHANNEL NEXFET POWER MOSF 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):40V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):124A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):61nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):4280pF @ 20V FET 功能:- 功率耗散(最大值):96W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):5.3 毫欧 @ 19A,10V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:8-VSONP(5x6) 封装/外壳:8-PowerTDFN 标准包装:1 CSD18512Q5B 功能描述:40V N CH MOSFET 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):40V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):211A (Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 250μA Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):7120pF @ 20V FET 功能:- 功率耗散(最大值):139W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):1.6 毫欧 @ 30A,10V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:8-VSON-CLIP(5x6) 封装/外壳:8-PowerTDFN 标准包装:1 CSD18511Q5AT 功能描述:40V N-CHANNEL NEXFET POWER MOSF 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):40V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):159A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.45V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):63nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):5850pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散(最大值):104W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):3.5 毫欧 @ 24A,4.5V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:8-VSONP(5x6) 封装/外壳:8-PowerTDFN 标准包装:1 CSD18511KTTT 功能描述:40-V N-CHANNEL NEXFET POWER MOS 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):40V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):110A(Ta),194A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):64nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):5940pF @ 20V FET 功能:- 功率耗散(最大值):188W(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):2.6 毫欧 @ 100A,10V 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:DDPAK/TO-263-3 封装/外壳:TO-263-4,D2Pak(3 引线 + 接片),TO-263AA 标准包装:1 CSD18533Q5AT CSD18534KCS CSD18534Q5A CSD18534Q5AT CSD18535KCS CSD18535KTT CSD18535KTTT CSD18536KCS CSD18536KTT CSD18536KTTT CSD18537NKCS CSD18537NQ5A CSD18537NQ5AT CSD18540Q5B CSD18540Q5BT CSD18541F5 CSD18541F5T CSD18542KCS
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