CSD18537NKCS全国供应商 CSD18537NKCS资料|PDF Datasheet|价格【TI 德州仪器】

配单专家企业名单

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供应商
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批号
价格
说明
操作

CSD18537NKCS
深圳市海天鸿电子科技有限公司
深圳市海天鸿电子科技有限公司
联系人：彭小姐、刘先生、李小姐
电话：0755-82552857-80913528851884（周日专线）
地址：深圳市福田区中航路中航北苑大厦A座22A3号
资质：营业执照
7500
TI
原厂原装
1645+
-
只做原装一手货源，代理商分销库存

CSD18537NKCS
无锡固电半导体股份有限公司
无锡固电半导体股份有限公司
联系人：刘小姐
电话：15961889150
地址：江苏省无锡市新区新梅路68号
资质：营业执照
1000
isc/固电半导体
TO-220
25+
-
国产品牌，替代进口

CSD18537NKCS
深圳市华芯源电子有限公司
深圳市华芯源电子有限公司
联系人：张小姐
电话：1501927513013823545558
地址：深圳市福田区华强路华强广场D座16层18B
资质：营业执照
17500
TI
TO220
22+
-
原装正品现货，支持BOM配单！

CSD18537NKCS
北京首天伟业科技有限公司
北京首天伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址： 广东省深圳市福田区华强北街道电子科技大厦C座23E
资质：营业执照
5000
Texas Instruments
标准封装
15+
-
百分百原装假一罚十

CSD18537NKCS
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室
资质：营业执照
0
原厂封装
10000
16+/17+
-
百分百原装正品假一赔十电话010-62...

CSD18537NKCS
北京京北通宇电子元件有限公司
北京京北通宇电子元件有限公司
联系人：洪宝宇
电话：17862669251
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦505（京北通宇）
资质：营业执照
320346
TI
con
24+
-

CSD18537NKCS
天阳诚业科贸有限公司
天阳诚业科贸有限公司
联系人：洪宝宇
电话：17862669251
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦503
资质：营业执照
320346
TI
con
24+
-

CSD18537NKCS
北京京北通宇电子元件有限公司
北京京北通宇电子元件有限公司
联系人：王
电话：18724450645
地址：中国上海
320346
TI
con
24+
-
优势库存，原装正品

CSD18537NKCS
深圳市德力诚信科技有限公司
深圳市德力诚信科技有限公司
联系人：王小姐
电话：13969210552
地址：上海市静安区恒丰路568号恒汇国际大厦903室
320346
TI
con
24+
-
现货常备京北通宇商城可查价格

CSD18537NKCS
深圳市德力诚信科技有限公司
深圳市德力诚信科技有限公司
联系人：王小姐
电话：13969210552
地址：深圳市福田区深南中路3031号汉国中心3204室
资质：营业执照
320346
TI
con
24+
-
优势库存，原装正品

CSD18537NKCS
深圳市澳亿芯电子科技有限公司
深圳市澳亿芯电子科技有限公司
联系人：李先生
电话：13760200702
地址：深圳市龙岗区坂田街道五和大道山海商业广场C栋706
资质：营业执照
15
专营TI
TO220
假一赔十！
-
原装自己现货！！

CSD18537NKCS
深圳市深美诺电子科技有限公司
深圳市深美诺电子科技有限公司
联系人：李燕兵
电话：82525918
地址：深圳市福田区华强北路上步工业区101栋5楼517-532室
资质：营业执照
6000
TI
TO-220-
22+
-
全新原装现货供应

CSD18537NKCS
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：唐先生
电话：0755-8322569219129381337（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。
865000
TI
原厂封装
最新批号
-
一级代理.原装特价现货！

CSD18537NKCS
深圳市瑞智芯科技有限公司
深圳市瑞智芯科技有限公司
联系人：朱先生
电话：0755-82999903
地址：深圳市福田区中航路42号中航北苑大厦C座6C3
11175
TI/德州仪器
N/A
21+
-
瑞智芯，只有原装

CSD18537NKCS
深圳市瑞智芯科技有限公司
深圳市瑞智芯科技有限公司
联系人：李先生
电话：0755-8308997518573537851
地址：深圳市福田区中航路42号中航北苑大厦C座6C3
资质：营业执照
0
Ti
TO-220 (KCS)
21
-
瑞智芯只有原装

CSD18537NKCS
深圳市鹏威尔科技有限公司
深圳市鹏威尔科技有限公司
联系人：胡庆伟
电话：13138879988
地址：深圳市宝安区新安街道翻身路117号富源商贸中心D栋601
900
TI
ORIGONAL
16+
-
0.60062 USD,szpoweri...

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制造商
Texas Instruments
功能描述
制造商
Texas Instruments
功能描述
ADDING N TO DEVICE NAME FOR 3V GATE - Rail/Tube

CSD18537NKCS 技术参数

CSD18536KTTT 功能描述:MOSFET N-CH 60V 200A D2PAK 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:200A（Ta），349A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1.6 毫欧 @ 100A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:140nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:11430pF @ 30V 功率 - 最大值:375W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-263-4，D2Pak（3 引线+接片），TO-263AA 供应商器件封装:DDPAK/TO-263-3 标准包装:1 CSD18536KTT 功能描述:MOSFET N-CH 60V 200A DDPAK 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET (Metal Oxide) 漏源极电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:200A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1.6 毫欧 @ 100A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:140nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:11430pF @ 30V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:* 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-263-4，D2Pak（3 引线+接片），TO-263AA 供应商器件封装:DDPAK/TO-263-3 标准包装:1 CSD18536KCS 功能描述:MOSFET N-CH 60V 200A TO-220-3 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包装:管件零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:200A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:108nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:11430pF @ 30V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:375W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1.6 毫欧 @ 100A，10V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔供应商器件封装:TO-220-3 封装/外壳:TO-220-3 标准包装:50 CSD18535KTTT 功能描述:MOSFET N-CH 60V 200A D2PAK 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:200A（Ta），279A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:2 毫欧 @ 100A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:81nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:6620pF @ 30V 功率 - 最大值:300W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-263-4，D2Pak（3 引线+接片），TO-263AA 供应商器件封装:DDPAK/TO-263-3 标准包装:1 CSD18535KCS 功能描述:MOSFET N-CH 60V 200A TO-220-3 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包装:管件零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:200A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:81nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:6620pF @ 30V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:300W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:2 毫欧 @ 100A，10V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔供应商器件封装:TO-220-3 封装/外壳:TO-220-3 标准包装:50 CSD18543Q3A CSD18543Q3AT CSD18563Q5A CSD18563Q5AT CSD19501KCS CSD19502Q5B CSD19502Q5BT CSD19503KCS CSD19505KCS CSD19505KTT CSD19505KTTT CSD19506KCS CSD19506KTT CSD19506KTTT CSD19531KCS CSD19531Q5A CSD19531Q5AT CSD19532KTT