CSD23285F5全国供应商 CSD23285F5资料|PDF Datasheet|价格【TI 德州仪器】

配单专家企业名单

型号
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厂商
封装
批号
价格
说明
操作

CSD23285F5
现货
集好芯城
集好芯城
联系人：陈先生 13360533550
电话：0755-83289799
地址：深圳市福田区深南中路汉国城市商业中心55层香港新界葵兴葵康大厦6楼
资质：营业执照
49626
TI(德州仪器)
22+
-
原装原厂现货

CSD23285F5T
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室
资质：营业执照
0
原厂封装
10000
16+/17+
-
百分百原装正品假一赔十电话010-62...

CSD23285F5
北京京北通宇电子元件有限公司
北京京北通宇电子元件有限公司
联系人：洪宝宇
电话：17862669251
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦505（京北通宇）
资质：营业执照
321149
TI
con
24+
-

CSD23285F5
北京天阳诚业科贸有限公司
北京天阳诚业科贸有限公司
联系人：洪先生
电话：17862669251
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦503
资质：营业执照
0
TI
con
24+
-
集成电路（IC）

CSD23285F5
天阳诚业科贸有限公司
天阳诚业科贸有限公司
联系人：洪宝宇
电话：17862669251
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦503
资质：营业执照
321149
TI
con
24+
-

CSD23285F5
深圳市铭昌源科技有限公司
深圳市铭昌源科技有限公司
联系人：优质现货代理商
电话：0755-82774613邓先生（13480915249）微信同步0755-82774613邓先生
地址：深圳市福田区振兴路上步商务中心大厦205栋5A10
资质：营业执照
60580
Texas Instruments
SMD
22+
-
优势代理，公司现货可开票

CSD23285F5
北京京北通宇电子元件有限公司
北京京北通宇电子元件有限公司
联系人：张
电话：18724450645
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼5层505室
资质：营业执照
0
TI
con
24+
-
集成电路（IC）

CSD23285F5
北京京北通宇电子元件有限公司
北京京北通宇电子元件有限公司
联系人：王
电话：18724450645
地址：中国上海
321149
TI
con
24+
-
优势库存，原装正品

CSD23285F5
深圳市德力诚信科技有限公司
深圳市德力诚信科技有限公司
联系人：王小姐
电话：13969210552
地址：上海市静安区恒丰路568号恒汇国际大厦903室
321149
TI
con
24+
-
现货常备京北通宇商城可查价格

CSD23285F5
深圳市德力诚信科技有限公司
深圳市德力诚信科技有限公司
联系人：王小姐
电话：13969210552
地址：深圳市福田区深南中路3031号汉国中心3204室
资质：营业执照
321149
TI
con
24+
-
优势库存，原装正品

CSD23285F5
深圳市德江源电子有限公司
深圳市德江源电子有限公司
联系人：张先生
电话：8296641615986789713
地址：深圳市福田区华强北街道振华路100号深纺大厦C座1A层1A621室
资质：营业执照
12000
TI/德州仪器
POSTAR-3
20+
-
只做原装，假一赔十

CSD23285F5
深圳市瑞智芯科技有限公司
深圳市瑞智芯科技有限公司
联系人：朱先生
电话：0755-82999903
地址：深圳市福田区中航路42号中航北苑大厦C座6C3
29104
TI/德州仪器
N/A
21+
-
瑞智芯，只有原装

CSD23285F5
深圳市瑞智芯科技有限公司
深圳市瑞智芯科技有限公司
联系人：李先生
电话：0755-8308997518573537851
地址：深圳市福田区中航路42号中航北苑大厦C座6C3
资质：营业执照
4480
Ti
(YJK)
19
-
瑞智芯只有原装

CSD23285F5
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
联系人：苗凤军
电话：17623594308
地址：深圳龙岗区棕科云端大厦1栋B座15层
资质：营业执照
4191
TI/华雄半导体
PICOSTAR-3
2209+
-
十年专营，供应原装正品！热卖现货！

CSD23285F5
北京力通科信电子有限公司
北京力通科信电子有限公司
联系人：韩小姐
电话：13661385246
地址：北京市海淀区知春路118号知春大厦B座1504室，新中发电子市场B1303-b1305柜台
92
TI
MOS_3P_1P53X0P77X0P3
-
5元原装现货13661385246

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1

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功能描述
MOSFET P-CH 12V
制造商
texas instruments
系列
FemtoFET?
包装
剪切带（CT）
零件状态
在售
FET 类型
P 沟道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
12V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
5.4A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.5V，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
950mV @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）
4.2nC @ 4.5V
Vgs（最大值）
-6V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
628pF @ 6V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
500mW（Ta）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）
35 毫欧 @ 1A，4.5V
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装
供应商器件封装
3-PICOSTAR
封装/外壳
3-XFDFN
标准包装
1

CSD23285F5 技术参数

CSD23280F3T 功能描述:MOSFET P-CH 12V 1.8A PICOSTAR 制造商:texas instruments 系列:FemtoFET? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:12V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:1.8A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:116 毫欧 @ 400mA，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:0.95V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:1.23nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:234pF @ 6V 功率 - 最大值:500mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:3-XFDFN 供应商器件封装:3-PICOSTAR 标准包装:1 CSD23280F3 功能描述:MOSFET P-CH 12V 1.8A PICOSTAR 制造商:texas instruments 系列:FemtoFET? 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:P 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:12V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:1.8A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.5V，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:0.95V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:1.23nC @ 4.5V Vgs（最大值）:-6V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:234pF @ 6V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:500mW（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:116 毫欧 @ 400mA，4.5V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:3-PICOSTAR 封装/外壳:3-XFDFN 标准包装:1 CSD23203WT 功能描述:MOSFET P-CH 8V 3A 6DSBGA 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:8V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:3A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:19.4 毫欧 @ 1.5A，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:6.3nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:914pF @ 4V 功率 - 最大值:750mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:6-UFBGA，DSBGA 供应商器件封装:6-DSBGA 标准包装:1 CSD23203W 功能描述:MOSFET P-CH 8V 3A 6DSBGA 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:8V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:3A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:19.4 毫欧 @ 1.5A，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:6.3nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:914pF @ 4V 功率 - 最大值:750mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:6-UFBGA，DSBGA 供应商器件封装:6-DSBGA 标准包装:1 CSD23202W10T 功能描述:MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:12V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:2.2A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:53 毫欧 @ 500mA，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:900mV @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:3.8nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:512pF @ 6V 功率 - 最大值:1W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:4-UFBGA，DSBGA 供应商器件封装:4-DSBGA（1x1）标准包装:1 CSD24208 CSD242410 CSD242410W CSD242412 CSD24246 CSD24248 CSD24248SS CSD2425 CSD2425-10 CSD2425F CSD2425P CSD24308 CSD2440 CSD2450 CSD2475 CSD2490 CSD25201W15 CSD25202W15