CSD86350D

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

CSD86350D
深圳市芯脉实业有限公司
深圳市芯脉实业有限公司
联系人：马先生
电话：19166264056
地址：深圳市龙岗区坂田街道南坑社区雅宝路1号星河WORLDA2203A室
24680
TI
QFN8
新批次
-
原装正品假一罚十

CSD86350D
甄芯网
甄芯网
联系人：柯
电话：0755-836658130755-83465652
地址：深南中路佳和大厦B座907
216
TI
SON-8
1033+
-
█100%现货█可开17%增票█可申请免...

1/1页 40条/页共2条
1

您是不是要找： CSD86350Q5D CSD86350Q5DEVM-604 CSD86360Q5D CSD87312Q3E CSD87313DMS CSD87313DMST CSD87330Q3D CSD87331Q3D CSD87333Q3D

CSD86350D PDF下载 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

CSD86350D 技术参数

CSD86330Q3D 功能描述:MOSFET 2N-CH 25V 20A 8SON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:2 个 N 通道（半桥） FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:25V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:20A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:9.6 毫欧 @ 14A，8V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:6.2nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:920pF @ 12.5V 功率 - 最大值:6W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerLDFN 供应商器件封装:8-LSON（5x6）标准包装:1 CSD86330EVM-717 功能描述:CSD86330, TPS53219 NexFET? DC/DC, Step Down 1, Non-Isolated Outputs Evaluation Board 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 零件状态:有效主要用途:DC/DC，步降输出和类型:1，非隔离功率 - 输出:- 电压 - 输出:1.2V 电流 - 输出:5A 电压 - 输入:9 V ~ 13.2 V 稳压器拓扑:降压频率 - 开关:500kHz 板类型:完全填充所含物品:板使用的 IC/零件:CSD86330，TPS53219 标准包装:1 CSD86311W1723 功能描述:MOSFET 2N-CH 25V 4.5A 12DSBGA 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:2 个 N 沟道（双） FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:25V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:4.5A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:39 毫欧 @ 2A，8V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:4nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:585pF @ 12.5V 功率 - 最大值:1.5W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:12-UFBGA，DSBGA 供应商器件封装:12-DSBGA（1.53x1.98）标准包装:1 CSD85312Q3E 功能描述:MOSFET 2N-CH 20V 39A 8VSON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:2?N 沟道（双）共源 FET 功能:逻辑电平栅极，5V 驱动漏源极电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:39A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:12.4 毫欧 @ 10A，8V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:15.2nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2390pF @ 10V 功率 - 最大值:2.5W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerVDFN 供应商器件封装:8-VSON（3.3x3.3）标准包装:1 CSD85302LT 功能描述:MOSFET 2N-CH 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:2 N 沟道（双）共漏 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:- 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:- 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:- 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:7.8nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:- 功率 - 最大值:1.7W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:4-XFLGA 供应商器件封装:4-Picostar（1.31x1.31）标准包装:1 CSD87333Q3DT CSD87334Q3D CSD87334Q3DT CSD87335Q3D CSD87335Q3DT CSD87350Q5D CSD87351Q5D CSD87351ZQ5D CSD87352Q5D CSD87353Q5D CSD87355Q5D CSD87355Q5DT CSD87381P CSD87381PEVM-603 CSD87381PT CSD87384M CSD87384MEVM-603 CSD87384MT