CUS03(TE85L,Q)

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说明
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CUS03(TE85L,Q)
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：唐先生
电话：0755-8322569219129381337（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。
8650000
TOSHIBA
U-FLAT
最新批号
-
代理此型号，原装正品现货！！

CUS03(TE85L,Q)
深圳市时兴宇电子有限公司
深圳市时兴宇电子有限公司
联系人：彭先生
电话：0755-830415598397218513430523058
地址：深圳市福田区华强北都会大厦A座19楼19G
9987
TOSHIBA
SOD123
1052PB
-
绝对公司原装现货

CUS03(TE85L,Q)
深圳市芯脉实业有限公司
深圳市芯脉实业有限公司
联系人：周小姐/高先生/曹先生
电话：137602720171852080514813487865852
地址：深圳市龙岗区坂田街道南坑社区雅宝路1号星河WORLDA2203A室
99132
Toshiba
US-FLAT
25+
-
全球渠道、原厂正品、信誉保障、闪电发货

CUS03(TE85L,Q)
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
75000
TOSHIBA
U-FLAT
2015+
-
全新原装现货

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1

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功能描述
肖特基二极管与整流器 Diode Schottky 40V 0.7A Vf=0.52V
RoHS
否
制造商
Skyworks Solutions, Inc.
产品
Schottky Diodes
峰值反向电压
2 V
正向连续电流
50 mA
最大浪涌电流
配置
Crossover Quad
恢复时间
正向电压下降
370 mV
最大反向漏泄电流
最大功率耗散
75 mW
工作温度范围
- 65 C to + 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-143
封装
Reel

CUS03(TE85L,Q) 技术参数

CURN105-HF 功能描述:DIODE GEN PURP 1KV 1A 1206 制造商:comchip technology 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:1000V（1kV）电流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.7V @ 1A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:75ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:- 不同?Vr，F 时的电容:10pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:2-SMD，无引线供应商器件封装:1206/SOD-123 工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:1 CURN104-HF 功能描述:DIODE GEN PURP 800V 1A 1206 制造商:comchip technology 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:800V 电流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.7V @ 1A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:75ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:- 不同?Vr，F 时的电容:10pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:2-SMD，无引线供应商器件封装:1206/SOD-123 工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:1 CURN103-HF 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 1A 1206 制造商:comchip technology 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.7V @ 1A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:50ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:- 不同?Vr，F 时的电容:10pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:2-SMD，无引线供应商器件封装:1206/SOD-123 工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:1 CURN102-HF 功能描述:DIODE GEN PURP 400V 1A 1206 制造商:comchip technology 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:400V 电流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.7V @ 1A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:50ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:- 不同?Vr，F 时的电容:10pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:2-SMD，无引线供应商器件封装:1206/SOD-123 工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:1 CURN101-HF 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 1A 1206 制造商:comchip technology 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 电流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.7V @ 1A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:50ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:- 不同?Vr，F 时的电容:10pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:2-SMD，无引线供应商器件封装:1206/SOD-123 工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:1 CUS08F30,H3F CUS10F30,H3F CUS10F40,H3F CUS10I30A(TE85L,QM CUS10I40A(TE85L,QM CUS10S30,H3F CUS10S40,H3F CUS12 CUS150M12 CUS150M12/A CUS150M12/F CUS150M12/U CUS150M24 CUS150M24/A CUS150M24/F CUS150M24/U CUS150M48 CUS150M48/A