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CYD36S72V18-200BGC

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CYD36S72V18-200BGC 技术参数

CYD36S72V18-167BGXC 功能描述:静态随机存取存储器 512K x 72 90nm SDR 36M SYNC DUAL PORT RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray CYD36S36V18-200BGXC 功能描述:静态随机存取存储器 36MB (1Mx36) 1.8v 200MHz Sync 静态随机存取存储器 RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray CYD36S36V18-200BBXC 功能描述:IC SRAM 36MBIT 200MHZ 256LFBGA RoHS:是类别:集成电路 (IC) >> 存储器系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:移动 SDRAM 存储容量:256M（8Mx32）速度:133MHz 接口:并联电源电压:1.7 V ~ 1.95 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:90-VFBGA 供应商设备封装:90-VFBGA（8x13）包装:带卷 (TR) 其它名称:557-1327-2 CYD36S36V18-167BGXI 功能描述:静态随机存取存储器 36MB (1Mx36) 1.8v 167MHz Sync 静态随机存取存储器 RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray CYD36S36V18-167BGXC 功能描述:静态随机存取存储器 36MB (1Mx36) 1.8v 167MHz Sync 静态随机存取存储器 RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray CYDD09S36V18-200BBXC CYDD18S36V18-167BBXC CYDD18S36V18-167BBXI CYDD18S36V18-200BBXC CYDD18S72V18-167BBXC CYDD18S72V18-167BBXI CYDD18S72V18-200BBXC CYDM064B08-40BVXI CYDM064B08-55BVXI CYDM064B16-40BVXI CYDM064B16-40BVXIT CYDM064B16-55BVXI CYDM064B16-55BVXIT CYDM128B08-40BVXI CYDM128B08-55BVXI CYDM128B16-40BVXI CYDM128B16-40BVXIT CYDM128B16-55BVXI