CSD97376Q4M

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制造商
Texas Instruments
功能描述
POWER STAGE W/ EXISTING FETS / DRIVER - Tape and Reel
制造商
Texas Instruments
功能描述
IC SYNC BUCK NEXFET 8VSON
制造商
Texas Instruments
功能描述
Power Stage w/ existing FETS / driver

CSD97376Q4M 技术参数

CSD97374Q4M 功能描述:功率驱动器IC Hi Freq Sync Buck NexFET Pwr Stage RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube CSD97370Q5M 功能描述:功率驱动器IC High Eff Pwr Stage Int Driver Pwr Block RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube CSD97370AQ5M 功能描述:功率驱动器IC Sync Buck NexFET Power Stage RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube CSD96371Q5M 功能描述:MOSFET High Freq Sync Buck NexFET Pwr Stage RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube CSD96370Q5M 功能描述:MOSFET High Freq Sync Buck NexFET RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube CSDA1BA-S CSDA1BC CSDA1DA CSDA1DC CSDB1CC CSDC1AC CSDC1BA CSDC1DA CSDD1EC CSDD1EG CS-DF-MJB CSDIO14R CSDIO14S CS-DM-MJB CSDP34V CSDP41V CSDP44 CSDP44V