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DFE201612R-H-1R0M

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  • DFE201612R-H-1R0M=P2
    DFE201612R-H-1R0M=P2

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  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室

    资质:营业执照

  • 6000

  • Murata Electronics North

  • 标准封装

  • 16+

  • -
  • 假一罚十,百分百正品

  • DFE201612R-H-1R0M=P2
    DFE201612R-H-1R0M=P2

    DFE201612R-H-1R0M=P2

  • 深圳市亚泰盈科电子有限公司
    深圳市亚泰盈科电子有限公司

    联系人:郑小姐

    电话:15338868823

    地址:公司地址:★★深圳市福田区佳和大厦B座1410-1411

    资质:营业执照

  • 6000

  • TOKO

  • 2016

  • 13+

  • -
  • 全新新货村田TDK太友数量均有多电话咨询

  • DFE201612R-H-1R0M
    DFE201612R-H-1R0M

    DFE201612R-H-1R0M

  • 深圳市科宏特电子有限公司
    深圳市科宏特电子有限公司

    联系人:李瑞兵

    电话:18897698645

    地址:深圳市福田区深南中路华强电子世界三店佳和4C148

  • 36000000

  • muRata

  • 22+

  • -
  • 原装正品

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  • 1
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DFE201612R-H-1R0M 技术参数
  • DFE201612P-R47M=P2 功能描述:470nH Shielded Wirewound Inductor 4.8A 33 mOhm Max 0806 (2016 Metric) 制造商:murata electronics north america 系列:DFE201612P 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 类型:绕线 材料 - 磁芯:铁粉 电感:470nH 容差:±20% 额定电流:4.8A 电流 - 饱和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 电阻(DCR):33 毫欧最大 不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 125°C 频率 - 测试:1MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:0806(2016 公制) 大小/尺寸:0.079" 长 x 0.063" 宽(2.00mm x 1.60mm) 高度 - 安装(最大值):0.039"(1.00mm) 标准包装:1 DFE201612P-R33M=P2 功能描述:330nH Shielded Wirewound Inductor 5.6A 28 mOhm Max 0806 (2016 Metric) 制造商:murata electronics north america 系列:DFE201612P 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 类型:绕线 材料 - 磁芯:铁粉 电感:330nH 容差:±20% 额定电流:5.6A 电流 - 饱和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 电阻(DCR):28 毫欧最大 不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 125°C 频率 - 测试:1MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:0806(2016 公制) 大小/尺寸:0.079" 长 x 0.063" 宽(2.00mm x 1.60mm) 高度 - 安装(最大值):0.039"(1.00mm) 标准包装:1 DFE201612P-R24M=P2 功能描述:240nH Shielded Wirewound Inductor 6.5A 23 mOhm Max 0806 (2016 Metric) 制造商:murata electronics north america 系列:DFE201612P 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 类型:绕线 材料 - 磁芯:铁粉 电感:240nH 容差:±20% 额定电流:6.5A 电流 - 饱和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 电阻(DCR):23 毫欧最大 不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 125°C 频率 - 测试:1MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:0806(2016 公制) 大小/尺寸:0.079" 长 x 0.063" 宽(2.00mm x 1.60mm) 高度 - 安装(最大值):0.039"(1.00mm) 标准包装:1 DFE201612P-2R2M=P2 功能描述:2.2μH Shielded Wirewound Inductor 2.1A 144 mOhm Max 0806 (2016 Metric) 制造商:murata electronics north america 系列:DFE201612P 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 类型:绕线 材料 - 磁芯:铁粉 电感:2.2μH 容差:±20% 额定电流:2.1A 电流 - 饱和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 电阻(DCR):144 毫欧最大 不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 125°C 频率 - 测试:1MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:0806(2016 公制) 大小/尺寸:0.079" 长 x 0.063" 宽(2.00mm x 1.60mm) 高度 - 安装(最大值):0.039"(1.00mm) 标准包装:1 DFE201612P-1R5M=P2 功能描述:1.5μH Shielded Wirewound Inductor 2.7A 95 mOhm Max 0806 (2016 Metric) 制造商:murata electronics north america 系列:DFE201612P 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 类型:绕线 材料 - 磁芯:铁粉 电感:1.5μH 容差:±20% 额定电流:2.7A 电流 - 饱和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 电阻(DCR):95 毫欧最大 不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 125°C 频率 - 测试:1MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:0806(2016 公制) 大小/尺寸:0.079" 长 x 0.063" 宽(2.00mm x 1.60mm) 高度 - 安装(最大值):0.039"(1.00mm) 标准包装:1 DFE252008C-R47M=P2 DFE252010F-100M=P2 DFE252010F-1R0M=P2 DFE252010F-1R5M=P2 DFE252010F-2R2M=P2 DFE252010F-3R3M=P2 DFE252010F-4R7M=P2 DFE252010F-6R8M=P2 DFE252010F-8R2M=P2 DFE252010F-R33M=P2 DFE252010F-R47M=P2 DFE252010F-R68M=P2 DFE252010F-R82M=P2 DFE252010P-1R0M=P2 DFE252010P-1R2M=P2 DFE252010P-1R5M=P2 DFE252010P-2R2M=P2 DFE252010P-3R3M=P2
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