DI9956T-XN

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DI9956T-XN
北京首天伟业科技有限公司
北京首天伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址： 广东省深圳市福田区华强北街道电子科技大厦C座23E
资质：营业执照
10000
DI
SOIC8
15+
-
原装正品，假一罚十

DI9956T-XN
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
50000
DI
SOP-8
0906+
-
全新原装现货

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1

您是不是要找： DIA-1 DIA-2 DIA42B 10W DIA42B 20W DIA42B 7W DIA53S72420A DIA53S72450A DIABLO16 DIABVNOTCH

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DI9956T-XN 技术参数

DI9956T 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 3.7A 8-SOIC 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效 FET 类型:2 个 N 沟道（双） FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:3.7A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:80 毫欧 @ 2.2A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.8V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:27nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:320pF @ 10V 功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装:8-SOP 标准包装:2,500 DI9435T 功能描述:MOSFET P-CH 30V 5.3A 8-SOP 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:5.3A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:50 毫欧 @ 5.3A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:40nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:950pF @ 15V 功率 - 最大值:2.5W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-TSOP（0.130"，3.30mm 宽）供应商器件封装:8-SO 标准包装:2,500 DI9430T 功能描述:MOSFET P-CH 20V 5.3A 8-SOP 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:5.3A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:60 毫欧 @ 5.3A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 25μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:38nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1430pF @ 10V 功率 - 最大值:2.5W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SMD，鸥翼型供应商器件封装:8-SO 标准包装:2,500 DI2220V301R-10 功能描述:300nH Unshielded Wirewound Inductor 8A 10 mOhm Max 2220 (5650 Metric) 制造商:laird-signal integrity products 系列:DI 包装:剪切带（CT）零件状态:有效类型:绕线材料 - 磁芯:铁氧体电感:300nH 容差:±10% 额定电流:8A 电流 - 饱和值:- 屏蔽:无屏蔽 DC 电阻（DCR）:10 毫欧最大不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 125°C 频率 - 测试:25MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:2220（5650 公制）大小/尺寸:0.220" 长 x 0.200" 宽（5.59mm x 5.08mm）高度 - 安装（最大值）:0.152"（3.86mm）标准包装:1 DI2220V301R-00 功能描述:300nH Unshielded Wirewound Inductor 8A 10 mOhm Max Nonstandard 制造商:laird-signal integrity products 系列:DI 包装:剪切带（CT）零件状态:停产类型:绕线材料 - 磁芯:铁氧体电感:300nH 容差:±10% 额定电流:8A 电流 - 饱和值:- 屏蔽:无屏蔽 DC 电阻（DCR）:10 毫欧最大不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 125°C 频率 - 测试:25MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:非标准大小/尺寸:0.220" 长 x 0.200" 宽（5.59mm x 5.08mm）高度 - 安装（最大值）:0.142"（3.60mm）标准包装:1 DIAGB5 DIAGB6 DIAMOND-E-12M DIAMOND-E-12M-PROMO DIAMOND-I-12M DIART110A DIART220A DIART24A DIART24D DIB01CB235A DIB01CD485A DIB01CM24100A DIBBC2314S21W DID-29AMMM-SL7A01 DID-29AMMM-SL7A02 DID-29AMMM-SL7A05 DID-29PFFP-SL8001 DID-29PFFS-SL8001