DIA0881L1

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DIA0881L10
现货
深圳市硅宇电子有限公司
深圳市硅宇电子有限公司
联系人：唐先生
电话：134242936540755-83690762
地址：深圳市福田区福虹路世界贸易广场A座1503
资质：营业执照
9598
PARTRON
N/A
0846+
-
原装现货/特价

DIA0881L1
深圳市澳亿芯电子科技有限公司
深圳市澳亿芯电子科技有限公司
联系人：李先生
电话：13760200702
地址：深圳市龙岗区坂田街道五和大道山海商业广场C栋706
资质：营业执照
100
PARTRON
NA
假一赔十！
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绝对原装现货！

DIA0881L1
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
联系人：雷精云
电话：18988598856
地址：深圳龙岗区棕科云端大厦1栋B座15层
资质：营业执照
4057
PARTRON
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十年专营，供应原装正品！热卖现货！

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DIA0881L1 技术参数

DI9956T 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 3.7A 8-SOIC 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效 FET 类型:2 个 N 沟道（双） FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:3.7A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:80 毫欧 @ 2.2A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.8V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:27nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:320pF @ 10V 功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装:8-SOP 标准包装:2,500 DI9435T 功能描述:MOSFET P-CH 30V 5.3A 8-SOP 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:5.3A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:50 毫欧 @ 5.3A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:40nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:950pF @ 15V 功率 - 最大值:2.5W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-TSOP（0.130"，3.30mm 宽）供应商器件封装:8-SO 标准包装:2,500 DI9430T 功能描述:MOSFET P-CH 20V 5.3A 8-SOP 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:5.3A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:60 毫欧 @ 5.3A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 25μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:38nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1430pF @ 10V 功率 - 最大值:2.5W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SMD，鸥翼型供应商器件封装:8-SO 标准包装:2,500 DI2220V301R-10 功能描述:300nH Unshielded Wirewound Inductor 8A 10 mOhm Max 2220 (5650 Metric) 制造商:laird-signal integrity products 系列:DI 包装:剪切带（CT）零件状态:有效类型:绕线材料 - 磁芯:铁氧体电感:300nH 容差:±10% 额定电流:8A 电流 - 饱和值:- 屏蔽:无屏蔽 DC 电阻（DCR）:10 毫欧最大不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 125°C 频率 - 测试:25MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:2220（5650 公制）大小/尺寸:0.220" 长 x 0.200" 宽（5.59mm x 5.08mm）高度 - 安装（最大值）:0.152"（3.86mm）标准包装:1 DI2220V301R-00 功能描述:300nH Unshielded Wirewound Inductor 8A 10 mOhm Max Nonstandard 制造商:laird-signal integrity products 系列:DI 包装:剪切带（CT）零件状态:停产类型:绕线材料 - 磁芯:铁氧体电感:300nH 容差:±10% 额定电流:8A 电流 - 饱和值:- 屏蔽:无屏蔽 DC 电阻（DCR）:10 毫欧最大不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 125°C 频率 - 测试:25MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:非标准大小/尺寸:0.220" 长 x 0.200" 宽（5.59mm x 5.08mm）高度 - 安装（最大值）:0.142"（3.60mm）标准包装:1 DIAGB5 DIAGB6 DIAMOND-E-12M DIAMOND-E-12M-PROMO DIAMOND-I-12M DIART110A DIART220A DIART24A DIART24D DIB01CB235A DIB01CD485A DIB01CM24100A DIBBC2314S21W DID-29AMMM-SL7A01 DID-29AMMM-SL7A02 DID-29AMMM-SL7A05 DID-29PFFP-SL8001 DID-29PFFS-SL8001