配单专家企业名单

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批号
价格
说明
操作

DMJ3947-103
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
5000
AI
04+
-
假一罚十，百分百原装正品

DMJ3947-103
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：唐先生
电话：0755-8322569219129381337（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。
8650000
SKYWORKS
QFN
最新批号
-
代理此型号.原装特价现货！

DMJ3947-103
深圳市时兴宇电子有限公司
深圳市时兴宇电子有限公司
联系人：彭先生
电话：0755-830415598397218513430523058
地址：深圳市福田区华强北都会大厦A座19楼19G
8755
DIP
12+
-
绝对公司原装现货

DMJ3947-103
深圳市柏新电子科技有限公司
深圳市柏新电子科技有限公司
联系人：林小姐//方先生
电话：0755-88377780010-58488628
地址：深圳市福田区深南中路2070号电子科技大厦C座27E2 , 北京办事处：北京海春路中发大厦60淀区知
14200
SKYWORKS
QFN
2012+
-
只做原装正品。

DMJ3947-103
北京京华特科技有限公司
北京京华特科技有限公司
联系人：张小姐/韩先生
电话：010-86398446-8061581080972213911315253
地址：北京市朝阳区建国门外大街9号楼603室
2500
SKYWORKS
原装
09+
-
进口原装特价代理优势

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1

您是不是要找： DMJ70H1D0SV3 DMJ70H1D3SH3 DMJ70H1D3SI3 DMJ70H1D3SJ3 DMJ70H1D4SV3 DMJ70H1D5SV3 DMJ70H600SH3 DMJ70H601SK3-13 DMJ70H601SV3

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制造商
ALPHA
制造商全称
ALPHA
功能描述
Chip On Board Mixer Quads

DMJ3947-103 技术参数

DMHE001 功能描述:DSUB 9 METAL DIE CAST B/S 制造商:cinch connectivity solutions 系列:* 零件状态:有效标准包装:1 DMHA14R5V353M4ATA0 功能描述:SUPERCAPACITOR 制造商:murata electronics north america 系列:DMH 包装:托盘零件状态:在售电容:35mF 容差:±20% 电压 - 额定:4.5V ESR（等效串联电阻）:300 毫欧 @ 1kHz 不同温度时的使用寿命:- 端接:SMD（SMT）凸片安装类型:表面贴装封装/外壳:4-SMD，扁平引线引线间距:- 大小/尺寸:0.787" 长 x 0.787" 宽（20.00mm x 20.00mm）高度 - 安装（最大值）:0.016"（0.40mm）工作温度:-40°C ~ 85°C 标准包装:500 DMG8880LSS-13 功能描述:MOSFET N-CH 30V 11.6A 8SOIC 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:11.6A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:10 毫欧 @ 11.6A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:27.6nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1289pF @ 15V 功率 - 最大值:1.43W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装:8-SOP 标准包装:1 DMG4712SSS-13 功能描述:MOSFET N-CH 30V 11.2A 8SOIC 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，肖特基，金属氧化物! FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:11.2A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:14 毫欧 @ 11.2A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:45.7nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2296pF @ 15V 功率 - 最大值:1.55W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装:8-SOP 标准包装:1 DMG4468LFG 功能描述:MOSFET N-CH 30V 7.62A 8DFN 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:无货 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:7.62A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:15 毫欧 @ 11.6A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:18.85nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:867pF @ 10V 功率 - 最大值:990mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerUDFN 供应商器件封装:DFN3030-8 标准包装:1 DMJ70H900HJ3 DMJ7N70SK3-13 DMJT9435-13 DMKP075BG-180 DMKP125BG-180 DMKP187BG-180 DML1005LDS-7 DML1006LDS-7 DML1007LDS-7 DML1008LDS-7 DML1009LDS-13 DML1009LDS-7 DML10M8LDS-13 DML3006LFDS-7 DML3009LDC-7 DML-430A DML-430A-C DM-LX3-1