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DMN3070SSN-7

配单专家企业名单
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  • DMN3070SSN-7
    DMN3070SSN-7

    DMN3070SSN-7

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    联系人：刘先生

    电话：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室

    资质：营业执照

  • 0

  • 原厂封装

  • 10000

  • 16+/17+

  • -

  • 百分百原装正品假一赔十 电话010-62...

  • DMN3070SSN-7
    DMN3070SSN-7

    DMN3070SSN-7

  • 深圳市亿联芯电子科技有限公司
    深圳市亿联芯电子科技有限公司

    联系人：吴经理

    电话：18138401919

    地址：深圳市福田区赛格科技园四栋中6楼6K31

  • 69880

  • DIODES/美台

  • SC59

  • 2021+

  • -

  • ★★正规渠道★原厂正品最新货源现货供应★...

  • DMN3070SSN-7
    DMN3070SSN-7

    DMN3070SSN-7

  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人：唐先生

    电话：0755-8322569219129381337（微信同号）

    地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。

  • 653000

  • DIODES

  • SC-59/SOT23

  • 最新批号

  • -

  • 代理此型号.原装正品现货

  • DMN3070SSN-7
    DMN3070SSN-7

    DMN3070SSN-7

  • 中山市翔美达电子科技有限公司
    中山市翔美达电子科技有限公司

    联系人：朱小姐

    电话：155020706551802218672813590991023

    地址：火炬开发区中山港大道99号金盛广场1栋613室

  • 9000

  • NXP

  • QFP

  • 20+

  • -

  • 公司全新原装正品,QQ153058080...

  • DMN3070SSN-7
    DMN3070SSN-7

    DMN3070SSN-7

  • 深圳市瑞智芯科技有限公司
    深圳市瑞智芯科技有限公司

    联系人：李先生

    电话：0755-8308997518573537851

    地址：深圳市福田区中航路42号中航北苑大厦C座6C3

    资质：营业执照

  • 6000

  • Diodes Incorporated

  • 2149

  • -

  • DMN3070SSN-7
    DMN3070SSN-7

    DMN3070SSN-7

  • 科创特电子（香港）有限公司
    科创特电子（香港）有限公司

    联系人：柯

    电话：0755-83014603

    地址：深圳市福田区深南中路3006号佳和大厦B座907

  • 3000

  • DIODES INC.

  • 主营优势

  • 1832

  • -

  • 100%原装正品★终端免费供样★

  • 1/1页 40条/页 共22条 
  • 1
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  • 制造商
  • Diodes Incorporated
  • 功能描述
  • MOSFET N CH 30V 4.2A, SC59
  • 制造商
  • Diodes Incorporated
  • 功能描述
  • 30V N-CH MOSFET
DMN3070SSN-7 技术参数
  • DMN3052LSS-13 功能描述:MOSFET N-CH 30V 7.1A 8-SOIC 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:7.1A（Ta） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:30 毫欧 @ 7.1A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:555pF @ 5V 功率 - 最大值:2.5W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商器件封装:8-SOP 标准包装:1 DMN3024LSS-13 功能描述:MOSFET N-CH 30V 6.4A 8SO 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:6.4A（Ta） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:24 毫欧 @ 7A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:12.9nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:608pF @ 15V 功率 - 最大值:1.6W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商器件封装:8-SO 标准包装:1 DMN3005LK3-13 功能描述:MOSFET N-CH 30V 14.5A TO252-3L 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:无货 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:14.5A（Ta） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:5 毫欧 @ 20A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:46.9nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:4342pF @ 15V 功率 - 最大值:1.68W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 供应商器件封装:TO-252-3 标准包装:1 DMN2300UFD-7 功能描述:MOSFET N-CH 20V 1.73A 3UDFN 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:1.21A（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.5V，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:950mV @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:2nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±8V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:67.62pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:470mW（Ta） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:200 毫欧 @ 900mA，4.5V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:X1-DFN1212-3 封装/外壳:3-UDFN 标准包装:1 DMMT5551-7 功能描述:TRANS 2NPN 160V 0.2A SOT26 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:带卷（TR） 零件状态:有效 晶体管类型:2 NPN（双）配对 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:200mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:160V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:200mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:80 @ 10mA，5V 功率 - 最大值:300mW 频率 - 跃迁:300MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOT-23-6 供应商器件封装:SOT-26 标准包装:3,000 DMN3115UDM-7 DMN3135LVT-7 DMN313DLT-7 DMN3150L-7 DMN3150LW-7 DMN3190LDW-13 DMN3190LDW-7 DMN31D5UFZ-7B DMN31D6UT-13 DMN31D6UT-7 DMN3200U-7 DMN32D2LDF-7 DMN32D2LFB4-7 DMN32D2LV-7 DMN32D4SDW-13 DMN32D4SDW-7 DMN3300U-7 DMN33D8LDW-13
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