配单专家企业名单

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批号
价格
说明
操作

DMN65D8LW-7
北京京北通宇电子元件有限公司
北京京北通宇电子元件有限公司
联系人：张
电话：18724450645
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼5层505室
资质：营业执照
1764
DIODES INCORPORATED
con
24+
-
场效应管

DMN65D8LW-7
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：唐先生
电话：0755-8322569219129381337（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。
865000
Diodes
原厂封装
最新批号
-
一级代理.原装特价现货！

DMN65D8LW-7
深圳市亿联芯电子科技有限公司
深圳市亿联芯电子科技有限公司
联系人：吴经理
电话：18138401919
地址：深圳市福田区赛格科技园四栋中6楼6K31
69880
DIODES/美台
SOT323
2021+
-
★★正规渠道★原厂正品最新货源现货供应★...

DMN65D8LW-7
深圳市英科美电子有限公司
深圳市英科美电子有限公司
联系人：张先生
电话：0755-23903058
地址：深圳市福田区振兴路西101号华匀大厦1栋7F
15500
DIODES
SOT323
22+
-
每一片都来自原厂，正品保证

DMN65D8LW-7
北京天阳诚业科贸有限公司
北京天阳诚业科贸有限公司
联系人：洪先生
电话：17862669251
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦503
资质：营业执照
1764
DIODES INCORPORATED
con
24+
-
场效应管

DMN65D8LW-7
深圳市亚泰盈科电子有限公司
深圳市亚泰盈科电子有限公司
联系人：郑小姐
电话：15338868823
地址：公司地址：★★深圳市福田区佳和大厦B座1410-1411
资质：营业执照
3000
DIODES/美台
NA
21+
-
DIODES授权代理商

DMN65D8LW-7
深圳市深科创科技有限公司
深圳市深科创科技有限公司
联系人：吴先生/吴小姐/朱先生
电话：0755-832472900755-828652018324751083223957
地址：深圳市福田区航都大厦17F1可提供13%增值税发票
7500
DIODES/美台
SOT323
2020+
-
全新原装现货渠道优势库存假一罚十

DMN65D8LW-7
深圳市百域芯科技有限公司
深圳市百域芯科技有限公司
联系人：许先生
电话：18898761413
地址：华强北都会轩4507
资质：营业执照
30000
DIODES/美台
NA
24+
-
原装正品，可含税供应。品质保障

DMN65D8LW-7
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室
资质：营业执照
0
原厂封装
10000
16+/17+
-
百分百原装正品假一赔十电话010-62...

DMN65D8LW-7
深圳市一线半导体有限公司
深圳市一线半导体有限公司
联系人：谢小姐/钟先生/陈先生/陈小姐
电话：0755-88608801多线17727932378
地址：深圳市福田区华强北华强花园B9F
11630
DIODES
原厂原装
18+
-
原装正品，优势供应

DMN65D8LW-7
深圳市一线半导体有限公司
深圳市一线半导体有限公司
联系人：谢小姐/钟先生/陈先生/陈小姐
电话：0755-8860880117727932378
地址：深圳市福田区华强北华强花园B9F
36200
DIODES
SOT323
18+
-
原装正品，欢迎订购

DMN65D8LW-7
深圳市一线半导体有限公司
深圳市一线半导体有限公司
联系人：谢小姐/钟先生/陈先生/陈小姐
电话：0755-88608801多线17727932378
地址：深圳市福田区华强北华强花园B9F
36200
DIODES
SOT323
18+
-
原装正品，欢迎订购

DMN65D8LW-7
深圳市柏新电子科技有限公司
深圳市柏新电子科技有限公司
联系人：林小姐//方先生
电话：0755-88377780010-58488628
地址：深圳市福田区深南中路2070号电子科技大厦C座27E2 , 北京办事处：北京海春路中发大厦60淀区知
24500
DIODES
SOT323
2012+
-
只做原装正品。

DMN65D8LW-7
科创特电子（香港）有限公司
科创特电子（香港）有限公司
联系人：柯
电话：0755-83014603
地址：深圳市福田区深南中路3006号佳和大厦B座907
3000
DIODES INC.
主营优势
19+
-
100%原装正品★终端免费供样★

DMN65D8LW-7
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
联系人：苗凤军
电话：17623594308
地址：深圳龙岗区棕科云端大厦1栋B座15层
资质：营业执照
5812
DIODES
SOT-323
2234+
-
十年专营，供应原装正品！热卖现货！

DMN65D8LW-7
深圳市轩盛达电子有限公司
深圳市轩盛达电子有限公司
联系人：陈
电话：1588932848313924772445
地址：深圳市福田区华强北街道深南中路3006号佳和华强大厦五楼5C103
10000
-
原厂原装现货，代找紧缺料

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制造商
DIODES
制造商全称
Diodes Incorporated
功能描述
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

DMN65D8LW 技术参数

DMN4040SK3-13 功能描述:MOSFET N-CH 40V 6A TO-252-3 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:40V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:6A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:18.6nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:945pF @ 20V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:1.71W（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:30 毫欧 @ 12A，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:TO-252-3 封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 标准包装:1 DMN4034SSS-13 功能描述:MOSFET N-CH 40V 5.4A 8SO 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:40V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:5.4A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:10nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:453pF @ 20V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:1.56W（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:34 毫欧 @ 6A，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:8-SOP 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）标准包装:1 DMN4030LK3-13 功能描述:MOSFET N-CH 40V 9.4A DPAK 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:40V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:9.4A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:12.9nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:604pF @ 20V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:2.14W（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:30 毫欧 @ 12A，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:TO-252-3 封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 标准包装:1 DMN4026SK3-13 功能描述:MOSFET N-CH 40V 28A TO252 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:40V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:28A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:21.3nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:1181pF @ 20V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:1.6W（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:24 毫欧 @ 6A，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:TO-252 封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 标准包装:1 DMN4015LK3-13 功能描述:MOSFET N-CH 40V 13.5A DPAK 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:无货 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:40V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:13.5A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:15 毫欧 @ 14A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:42nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2072pF @ 20V 功率 - 最大值:2.19W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 供应商器件封装:TO-252-3 标准包装:1 DMN67D8LDW-7 DMN67D8LW-13 DMN67D8LW-7 DMN7022LFG-13 DMN7022LFG-7 DMN7022LFGQ-13 DMN7022LFGQ-7 DMN80H2D0SCTI DMN90H2D2HCTI DMN90H8D5HCT DMN90H8D5HCTI DMN95H2D2HCTI DMN95H8D5HCT DMN95H8D5HCTI DMNF1-285-C DMNF1-285FIB-3K DMNF1-285FIB-C DMNF1-288-C

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