DMP210DUFB4-7B全国供应商【买卖IC网】DMP210DUFB4-7B资料|PDF Datasheet|价格 Diodes Incorporated

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型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

DMP210DUFB4-7B
深圳市亿联芯电子科技有限公司
深圳市亿联芯电子科技有限公司
联系人：吴经理
电话：18138401919
地址：深圳市福田区赛格科技园四栋中6楼6K31
69880
DIODES/美台
DFN1006
2021+
-
★★正规渠道★原厂正品最新货源现货供应★...

DMP210DUFB4-7B
深圳市硅宇电子有限公司
深圳市硅宇电子有限公司
联系人：唐先生
电话：134242936540755-83690762
地址：深圳市福田区福虹路世界贸易广场A座1503
资质：营业执照
10000
DIDDES
DFN1006
1322NOP
-
原装现货/特价

DMP210DUFB4-7B
深圳市亚泰盈科电子有限公司
深圳市亚泰盈科电子有限公司
联系人：郑小姐
电话：15338868823
地址：公司地址：★★深圳市福田区佳和大厦B座1410-1411
资质：营业执照
10245
DIODES/美台
DFN1006
22+
-
全新原装现货，支持BOM表配单

DMP210DUFB4-7B
科创特电子（香港）有限公司
科创特电子（香港）有限公司
联系人：柯
电话：0755-83014603
地址：深圳市福田区深南中路3006号佳和大厦B座907
10000
DIODES INC.
主营优势
1821
-
100%原装正品★终端免费供样★

DMP210DUFB4-7B
深圳市百域芯科技有限公司
深圳市百域芯科技有限公司
联系人：许先生
电话：18898761413
地址：华强北都会轩4507
资质：营业执照
30000
DIODES/美台
X2-DFN1006-3
24+
-
原装正品，可含税供应。品质保障

DMP210DUFB4-7B
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
联系人：苗凤军
电话：17623594308
地址：深圳龙岗区棕科云端大厦1栋B座15层
资质：营业执照
4628
DIODES
DFN1006
2206+
-
十年专营，供应原装正品！热卖现货！

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制造商
DIODES
功能描述
P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

DMP210DUFB4-7B 技术参数

DMP2069UFY4-7 功能描述:MOSFET P-CH 20V 2.5A 3-DFN 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:P 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:2.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:9.1nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±8V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:214pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:530mW（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:54 毫欧 @ 2.5A，4.5V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:DFN2015H4-3 封装/外壳:3-XFDFN 标准包装:1 DMP2039UFDE-7 功能描述:MOSFET P-CH 25V 6.7A 6UDFN 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:P 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:25V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:6.7A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:48.7nC @ 8V Vgs（最大值）:±8V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:2530pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:800mW（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:27 毫欧 @ 6.4A，4.5V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:U-DFN2020-6（E 类）封装/外壳:6-UDFN 裸露焊盘标准包装:1 DMP1555UFA-7B 功能描述:MOSFET P-CH 12V 0.2A X2DFN-3 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:P 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:12V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:200mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.5V，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:0.84nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±8V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:55.4pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:360mW（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:800 毫欧 @ 200mA，4.5V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:X2-DFN0806-3 封装/外壳:3-XFDFN 标准包装:1 DMP-1.0 X 1.5 X 0.25 功能描述:RF Shield 2 Piece 1.500" (38.10mm) X 1.000" (25.40mm) Solid Solder and Snap On 制造商:fotofab 系列:- 包装:散装零件状态:停产类型:2 件高度 - 总:0.250"（6.35 mm）长度 - 总:1.000"（25.40mm）宽度 - 总:1.500"（38.10mm）通风:实心安装类型:焊接式和卡入式标准包装:1 DMP-1.0 X 1.0 X 0.25 功能描述:RF Shield 2 Piece 1.000" (25.40mm) X 1.000" (25.40mm) Solid Solder and Snap On 制造商:fotofab 系列:- 包装:散装零件状态:停产类型:2 件高度 - 总:0.250"（6.35 mm）长度 - 总:1.000"（25.40mm）宽度 - 总:1.000"（25.40mm）通风:实心安装类型:焊接式和卡入式标准包装:1 DMP2160UW-7 DMP2170U-13 DMP2170U-7 DMP21D0UFB4-7B DMP21D0UFB-7 DMP21D0UFD-7 DMP21D0UT-7 DMP21D2UFA-7B DMP21D5UFB4-7B DMP21D5UFD-7 DMP21D6UFD-7 DMP2200UDW-13 DMP2200UDW-7 DMP2215L-7 DMP2225L-7 DMP2240UDM-7 DMP2240UW-7 DMP2240UWQ-7

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