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DMP32D4S-13

配单专家企业名单
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  • DMP32D4S-13
    DMP32D4S-13

    DMP32D4S-13

  • 深圳市亿联芯电子科技有限公司
    深圳市亿联芯电子科技有限公司

    联系人：吴经理

    电话：18138401919

    地址：深圳市福田区赛格科技园四栋中6楼6K31

  • 69880

  • DIODES/美台

  • SOT23

  • 2021+

  • -

  • ★★正规渠道★原厂正品最新货源现货供应★...

  • DMP32D4S-13
    DMP32D4S-13

    DMP32D4S-13

  • 北京天阳诚业科贸有限公司
    北京天阳诚业科贸有限公司

    联系人：洪先生

    电话：17862669251

    地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦503

    资质：营业执照

  • 446

  • DIODES INCORPORATED

  • con

  • 24+

  • -

  • 场效应管

  • DMP32D4S-13
    DMP32D4S-13

    DMP32D4S-13

  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人：唐先生

    电话：0755-8322569219129381337（微信同号）

    地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。

  • 865000

  • Diodes

  • 原厂封装

  • 最新批号

  • -

  • 一级代理.原装特价现货！

  • DMP32D4S-13
    DMP32D4S-13

    DMP32D4S-13

  • 北京京北通宇电子元件有限公司
    北京京北通宇电子元件有限公司

    联系人：张

    电话：18724450645

    地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼5层505室

    资质：营业执照

  • 446

  • DIODES INCORPORATED

  • con

  • 24+

  • -

  • 场效应管

  • DMP32D4S-13
    DMP32D4S-13

    DMP32D4S-13

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    联系人：刘先生

    电话：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室

    资质：营业执照

  • 0

  • 原厂封装

  • 10000

  • 16+/17+

  • -

  • 百分百原装正品假一赔十 电话010-62...

  • DMP32D4S-13
    DMP32D4S-13

    DMP32D4S-13

  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
    深圳市毅创辉电子科技有限公司

    联系人：雷春艳

    电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697

    地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室

    资质：营业执照

  • 26620

  • DIODES IN

  • 剪切带（CT

  • 1521+

  • -

  • 全新原装现货

  • DMP32D4S-13
    DMP32D4S-13

    DMP32D4S-13

  • 深圳市瑞智芯科技有限公司
    深圳市瑞智芯科技有限公司

    联系人：李先生

    电话：0755-8308997518573537851

    地址：深圳市福田区中航路42号中航北苑大厦C座6C3

    资质：营业执照

  • 40000

  • Diodes Incorporated

  • 2148

  • -

  • DMP32D4S-13
    DMP32D4S-13

    DMP32D4S-13

  • 科创特电子（香港）有限公司
    科创特电子（香港）有限公司

    联系人：柯

    电话：0755-83014603

    地址：深圳市福田区深南中路3006号佳和大厦B座907

  • 10000

  • DIODES INC.

  • 主营优势

  • 1915

  • -

  • 100%原装正品★终端免费供样★

  • DMP32D4S-13
    DMP32D4S-13

    DMP32D4S-13

  • 深圳市百域芯科技有限公司
    深圳市百域芯科技有限公司

    联系人：许先生

    电话：18898761413

    地址：华强北都会轩4507

    资质：营业执照

  • 30000

  • DIODES/美台

  • SOT-23

  • 24+

  • -

  • 原装正品，可含税供应。品质保障

  • 1/1页 40条/页 共22条 
  • 1
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DMP32D4S-13 技术参数
  • DMP3120L-7 功能描述:MOSFET P-CH 30V 2.8A SOT-23 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:带卷（TR） 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:2.8A（Ta） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:120 毫欧 @ 2.8A，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:6.7nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:285pF @ 15V 功率 - 最大值:1.4W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23 标准包装:3,000 DMP3036SSS-13 功能描述:MOSFET P-CH 30V 19.5A 8-SO 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:在售 FET 类型:P 沟道 技术:MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:19.5A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:16.5nC @ 10V Vgs（最大值）:±25V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:1931pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:1.4W（Ta） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:20 毫欧 @ 9A，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:8-SO 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 标准包装:1 DMP22M2UPS-13 功能描述:MOSFET P-CH 20V POWERDI5060-8 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:在售 FET 类型:P 沟道 技术:MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:60A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:476nC @ 10V Vgs（最大值）:±12V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:12826pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:2.3W（Ta） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:2.5 毫欧 @ 25A，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:PowerDI5060-8 封装/外壳:8-PowerTDFN 标准包装:1 DMP21D2UFA-7B 功能描述:MOSFET P-CH 20V 0.33A X2DFN-3 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:在售 FET 类型:P 沟道 技术:MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:330mA（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.5V，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:0.8nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±8V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:49pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:360mW（Ta） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1 欧姆 @ 200mA，4.5V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:X2-DFN0806-3 封装/外壳:3-XFDFN 标准包装:1 DMP2069UFY4-7 功能描述:MOSFET P-CH 20V 2.5A 3-DFN 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:在售 FET 类型:P 沟道 技术:MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:2.5A（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:9.1nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±8V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:214pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:530mW（Ta） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:54 毫欧 @ 2.5A，4.5V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:DFN2015H4-3 封装/外壳:3-XFDFN 标准包装:1 DMP4013LFGQ-13 DMP4013LFGQ-7 DMP4015SK3-13 DMP4015SK3Q-13 DMP4015SPS-13 DMP4015SPSQ-13 DMP4015SSS-13 DMP4015SSSQ-13 DMP4025LK3-13 DMP4025LSD-13 DMP4025LSS-13 DMP4025LSSQ-13 DMP4025SFG-13 DMP4025SFG-7 DMP4025SFGQ-13 DMP4025SFGQ-7 DMP4047LFDE-7 DMP4047SK3-13
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