DS1265Y-150IND

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DS1265Y-150IND
北京元坤伟业科技有限公司
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联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
4000
DALLAS
DIP-36
05+
-
全新原装100%正品保证质量

DS1265Y-150IND
北京元坤伟业科技有限公司
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联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
250000
DALLAS
DIP
最新批次
-
质量保障假一罚十

DS1265Y-150IND
北京京华特科技有限公司
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联系人：张小姐/韩先生
电话：010-86398446-8061581080972213911315253
地址：北京市朝阳区建国门外大街9号楼603室
1102
DALLAS
DIP
06+
-
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DS1265Y-150IND 技术参数

DS1265Y-100 功能描述:NVRAM 8M NV SRAM RoHS:否制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube DS1265W-150+ 功能描述:NVRAM 3.3V 8M NV SRAM RoHS:否制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube DS1265W-150 功能描述:NVRAM 3.3V 8M NV SRAM RoHS:否制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube DS1265W-100IND+ 功能描述:NVRAM 3.3V 8M NV SRAM RoHS:否制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube DS1265W-100IND 功能描述:NVRAM 3.3V 8M NV SRAM RoHS:否制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube DS1267-100+ DS1267BE-010+ DS1267BE-010+T/R DS1267BE-050+ DS1267BE-050+T/R DS1267BE-100+ DS1267BE-100+T/R DS1267BS-010+ DS1267BS-010+T/R DS1267BS-050+ DS1267BS-050+T/R DS1267BS-100+ DS1267BS-100+T/R DS1267E-10 DS1267E-10/T&R DS1267E-10+ DS1267E-10+T&R DS1267E-100