DS1976470M

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制造商
COEMAG
功能描述

DS1976470M 技术参数

DS1976-102M 功能描述:1mH Shielded Inductor 530mA 2.01 Ohm Max Nonstandard 制造商:te connectivity 系列:DS1976，Coev 包装:剪切带（CT）零件状态:过期类型:- 材料 - 磁芯:- 电感:1mH 容差:±20% 额定电流:530mA 电流 - 饱和值:800mA 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:2.01 欧姆最大不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 85°C 频率 - 测试:100kHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:非标准大小/尺寸:0.730" 长 x 0.600" 宽（18.54mm x 15.25mm）高度 - 安装（最大值）:0.300"（7.62mm）标准包装:1 DS1976-101M 功能描述:100μH Shielded Inductor 1.7A 207 mOhm Max Nonstandard 制造商:te connectivity 系列:DS1976，Coev 包装:剪切带（CT）零件状态:过期类型:- 材料 - 磁芯:- 电感:100μH 容差:±20% 额定电流:1.7A 电流 - 饱和值:2.4A 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:207 毫欧最大不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 85°C 频率 - 测试:100kHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:非标准大小/尺寸:0.730" 长 x 0.600" 宽（18.54mm x 15.25mm）高度 - 安装（最大值）:0.300"（7.62mm）标准包装:1 DS1976-100M 功能描述:10μH Shielded Inductor 3.6A 40 mOhm Max Nonstandard 制造商:te connectivity 系列:DS1976，Coev 包装:剪切带（CT）零件状态:过期类型:- 材料 - 磁芯:- 电感:10μH 容差:±20% 额定电流:3.6A 电流 - 饱和值:7A 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:40 毫欧最大不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 85°C 频率 - 测试:100kHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:非标准大小/尺寸:0.730" 长 x 0.600" 宽（18.54mm x 15.25mm）高度 - 安装（最大值）:0.300"（7.62mm）标准包装:1 DS1886T+T 功能描述:接口 - 专用 PON ONU/SFP CTRLR W/DIG LDD INT RoHS:否制造商:Texas Instruments 产品类型:1080p60 Image Sensor Receiver 工作电源电压:1.8 V 电源电流:89 mA 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:BGA-59 DS1886T+ 功能描述:接口 - 专用 PON ONU/SFP CTRLR W/DIG LDD INT RoHS:否制造商:Texas Instruments 产品类型:1080p60 Image Sensor Receiver 工作电源电压:1.8 V 电源电流:89 mA 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:BGA-59 DS1985-F5+ DS1990A-F3+ DS1990A-F5+ DS1990R-F3# DS1990R-F5# DS1992L-F5+ DS1993L-F5+ DS1995L-F5+ DS1996L-F5+ DS1D7AQ3 DS1D7BQ3 DS1E-M-DC1.5V DS1E-M-DC1.5V-R DS1E-M-DC12V DS1E-M-DC12V-TB DS1E-M-DC24V DS1E-M-DC24V-TB DS1E-M-DC3V