DRV593VFPR

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DRV593VFPR
深圳市安博威科技有限公司
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20000
TI/德州仪器
QFP
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全新原装香港订货

DRV593VFPR
深圳市泽芯微科技有限公司
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DRV593VFPR
甄芯网
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联系人：柯
电话：0755-836658130755-83465652
地址：深南中路佳和大厦B座907
1777
Texas Instruments
32-LQFP 裸露焊盘
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█原装正品█ 可开17%增票█ 可申请免...

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功能描述
功率驱动器IC +/-3 A High-Eff
RoHS
否
制造商
Micrel
产品
MOSFET Gate Drivers
类型
Low Cost High or Low Side MOSFET Driver
上升时间
下降时间
电源电压-最大
30 V
电源电压-最小
2.75 V
电源电流
最大功率耗散
最大工作温度
+ 85 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOIC-8
封装
Tube

DRV593VFPR 技术参数

DRV593VFP 功能描述:功率驱动器IC +/-3 A High-Eff RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube DRV593EVM 功能描述:DRV593 - Power Management, Half H-Bridge Driver (Internal FET) Evaluation Board 制造商:texas instruments 系列:- 零件状态:有效主要用途:电源管理，半 H 桥驱动器（内部 FET）嵌入式:- 使用的 IC/零件:DRV593 主要属性:- 辅助属性:- 所含物品:板标准包装:1 DRV592VFP 功能描述:功率驱动器IC High-Eff H-Bridge (Req Ext PWM) RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube DRV592EVM 功能描述:DRV592 - Power Management, H-Bridge Driver (Internal FET) Evaluation Board 制造商:texas instruments 系列:- 零件状态:过期主要用途:电源管理，H 桥驱动器（内部 FET）嵌入式:否使用的 IC/零件:DRV592 主要属性:- 辅助属性:- 所含物品:板标准包装:1 DRV591VFPRG4 功能描述:功率驱动器IC High Efficiency PWM Power Driver RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube DRV600RTJTG4 DRV601EVM DRV601EVM2 DRV601RTJR DRV601RTJRG4 DRV601RTJT DRV602EVM2 DRV602PW DRV602PWR DRV603EVM DRV603PW DRV603PWR DRV604PWP DRV604PWPEVM DRV604PWPR DRV612EVM DRV612PW DRV612PWR