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DS1245AB-100

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功能描述
NVRAM 1024K SRAM Nonvolatile
RoHS
否
制造商
Maxim Integrated
数据总线宽度
8 bit
存储容量
1024 Kbit
组织
128 K x 8
接口类型
Parallel
访问时间
70 ns
电源电压-最大
5.5 V
电源电压-最小
4.5 V
工作电流
85 mA
最大工作温度
+ 70 C
最小工作温度
0 C
封装 / 箱体
EDIP
封装
Tube

DS1245AB-100 技术参数

DS1244YP-70+ 功能描述:实时时钟 256k NV SRAM w/Phantom Clock RoHS:否制造商:Microchip Technology 功能:Clock, Calendar. Alarm RTC 总线接口:I2C 日期格式:DW:DM:M:Y 时间格式:HH:MM:SS RTC 存储容量:64 B 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:1.8 V 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:PDIP-8 封装:Tube DS1244YP-70 功能描述:IC NVSRAM 256KBIT 70NS 34PCM RoHS:否类别:集成电路 (IC) >> 时钟/计时 - 实时时钟系列:- 产品培训模块:Obsolescence Mitigation Program 标准包装:1 系列:- 类型:时钟/日历特点:警报器，闰年，SRAM 存储容量:- 时间格式:HH:MM:SS（12/24 小时）数据格式:YY-MM-DD-dd 接口:SPI 电源电压:2 V ~ 5.5 V 电压 - 电源，电池:- 工作温度:-40°C ~ 85°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:8-WDFN 裸露焊盘供应商设备封装:8-TDFN EP 包装:管件 DS1244Y-70+ 功能描述:实时时钟 256k NV SRAM w/Phantom Clock RoHS:否制造商:Microchip Technology 功能:Clock, Calendar. Alarm RTC 总线接口:I2C 日期格式:DW:DM:M:Y 时间格式:HH:MM:SS RTC 存储容量:64 B 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:1.8 V 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:PDIP-8 封装:Tube DS1244WP-120IND+ 功能描述:实时时钟 256k NV SRAM w/Phantom Clock RoHS:否制造商:Microchip Technology 功能:Clock, Calendar. Alarm RTC 总线接口:I2C 日期格式:DW:DM:M:Y 时间格式:HH:MM:SS RTC 存储容量:64 B 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:1.8 V 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:PDIP-8 封装:Tube DS1244WP-120IND 功能描述:IC NVSRAM 256KBIT 120NS 34PCM RoHS:否类别:集成电路 (IC) >> 时钟/计时 - 实时时钟系列:- 产品培训模块:Obsolescence Mitigation Program 标准包装:1 系列:- 类型:时钟/日历特点:警报器，闰年，SRAM 存储容量:- 时间格式:HH:MM:SS（12/24 小时）数据格式:YY-MM-DD-dd 接口:SPI 电源电压:2 V ~ 5.5 V 电压 - 电源，电池:- 工作温度:-40°C ~ 85°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:8-WDFN 裸露焊盘供应商设备封装:8-TDFN EP 包装:管件 DS1245AB-85 DS1245AB-85+ DS1245ABP-100 DS1245ABP-70 DS1245ABP-70+ DS1245ABP-70IND DS1245ABP-70IND+ DS1245BL-100 DS1245BL-70 DS1245BL-70IND DS1245W-100 DS1245W-100+ DS1245W-100IND DS1245W-100IND+ DS1245W-150 DS1245W-150+ DS1245WP-100+ DS1245WP-100IND+