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Vishay推出应用广泛的2010封装尺寸电流感测电阻
恩智浦半导体推出新系列瞬时电压抑制器（TVS）二极管
安森美推出24款新的30伏、N沟道沟槽MOSFET
IGBT在客车DC 600V系统逆变器中的应用与保护
Vishay推出TNPU e3系列高精度扁平片式电阻
意法半导体（ST）推出低损耗1200V IGBT系列产品
纳米级电接触电阻测量的新技术
电容误差平均技术在流水线ADC中的应用
片式电容及其应用
英飞凌推出性能改进的第三代thinQ! SiC肖特基二极管
关于MOSFET的双峰效应量化评估研究
金属端子电容器的啸叫降低作用
Fairchild推出WL-CSP封装20V P沟道MOSFET
MagnaChip推出8种600V MOSFET
Murata公司推出低电容ESD保护器件LXES系列
Seielect公司推出薄型大功率的薄膜电阻器RNCP
Vishay推出低导通电阻新型20V P沟道功率MOSFET
Epcos已经研制出系列MKT薄膜电容器
Toshiba 推出3.3mmx3.3mm TSON封装的低导通电阻大电流MOSFET
二极管的基本应用
飞兆半导体采用Power 56封装的MOSFET器件
Vishay发布低导通电阻的TrenchFET功率MOSFET
IR基准工业级30V MOSFET提供非常低的栅极电荷
业界导通电阻最低的60V TrenchFET功率MOSFET
飞兆半导体推出1mm x 1mm WL-CSP封装20V P沟道MOSFET
Vishay发布超高精度Bulk Metal箔四电阻网络SMNH
安森美半导体推出4款新的30伏肖特基势垒二极管
Vishay推出首款采用1.6mm×1.6mm占位的30V功率MOSFET
基于RISC-SOC微电容测量模块的研制
Vishay推出高性能PNM系列精密无磁薄膜电阻
实际电容法石英晶体谐振器负载谐振频率测量技术研究
一种基于超级电容器储能的光伏控制器的实现
Vishay推出新型500V功率MOSFET系列产品
雪崩光电二极管（APD）偏置电源及其电流监测
基于二极管检波的功率测量技术研究
Vishay推出业内最低导通电阻N沟道MOSFET
罗德与施瓦茨首推频段高达33 GHz的二极管功率探头
使用普通I/O口实现电容触摸感应的解决方案
瑞萨双向齐纳二极管尺寸仅0.6 x 0.3mm
基于直流PTC热敏电阻恒温控制系统的研究与设计
NXP推出N通道、1毫欧以下25V MOSFET产品
飞兆半导体双MOSFET器件为同步降压应用提供高效率和高功率密度
Vishay推出在紧凑4527封装内提供5W功率的表面贴装电阻
Vishay推出新款低尺寸、高电流电感器IHLP器件
基于铂电阻的数字温度测量系统设计
ST 推出高温栅灵敏型双向晶闸管
电容的去耦时间
基于三极管的种类及三极管的种类分法
MagnaChip公司发布500V高压MOSFET
光敏电阻器的主要参数
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