EC570218-R2

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EC570218-R2
北京杰创宏达电子有限公司
北京杰创宏达电子有限公司
联系人：沈小姐/伊小姐/张先生
电话：010-61190909
地址：北京市海淀区安宁庄26号悦MOMA701室
资质：营业执照
2220
ELECTRONIC COMPONENTS INT
原厂原装
24+
-
授权代理商

EC570218-R2
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
3000
原厂品牌
标准封装
07/08+
-
全新原装100%正品保证质量

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EC570218-R2 技术参数

EC52/24/14-3C94 功能描述:FERRITE CORE 制造商:ferroxcube 系列:- 零件状态:在售内核类型:EC 容差:- 间隙:- 材料:3C94 表面:无涂层供应商器件封装:EC 52 x 24 x 14 高度:24.20mm 长度:52.20mm 宽度:13.40mm 直径:- 标准包装:200 EC4943-000 功能描述:11320000 制造商:te connectivity amp connectors 系列:K 零件状态:有效配件类型:载体，线缆和导线标记器配套使用产品/相关产品:K-Type? 线缆标记材料:PVC 特性:7 字符长标准包装:500 EC4942-000 功能描述:11310000 制造商:te connectivity amp connectors 系列:K 零件状态:有效配件类型:载体，线缆和导线标记器配套使用产品/相关产品:K-Type? 线缆标记材料:PVC 特性:12 字符长标准包装:500 EC4407KF-TR 功能描述:MOSFET N-CH 20V 1.3A ESCP1208-4F 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极，1.8V 驱动漏源极电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:1.3A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:224 毫欧 @ 600mA，4V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:4.5nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:100pF @ 10V 功率 - 最大值:400mW 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:4-XFDFN 供应商器件封装:0503（1308 公制）标准包装:1 EC4406C-TL-H 功能描述:MOSFET N-CH 60V 0.2A ESCP1008-4 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极，1.5V 驱动漏源极电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:200mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:2.9 欧姆 @ 100mA，4V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:1nC @ 4V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:26pF @ 20V 功率 - 最大值:150mW 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:4-UFDFN 供应商器件封装:4-ECSP1008 标准包装:1 EC5833-000 EC5834-000 EC5835-000 EC5836-000 EC5837-000 EC5838-000 EC5839-000 EC5840-000 EC5856-000 EC5875-000 EC5876-000 EC5877-000 EC5878-000 EC5879-000 EC5880-000 EC5881-000 EC5882-000 EC5883-000