FW356-TL-E

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

FW356-TL-E
北京首天伟业科技有限公司
北京首天伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址： 广东省深圳市福田区华强北街道电子科技大厦C座23E
资质：营业执照
10000
SANYO
SOP8
15+
-

FW356-TL-E
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
5000
SANYO
LS现货
-
假一罚十，百分百原装正品

FW356-TL-E
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
联系人：苗凤军
电话：17623594308
地址：深圳龙岗区棕科云端大厦1栋B座15层
资质：营业执照
4576
ON
SOP8
2203+
-
十年专营，供应原装正品！热卖现货！

1/1页 40条/页共15条
1

您是不是要找： FW-36-01-F-D-200-065 FW-36-01-F-D-200-075 FW-36-01-F-D-200-100 FW-36-01-F-D-250-065 FW-36-01-F-D-250-075 FW-36-01-F-D-250-100 FW-36-01-F-D-350-065 FW-36-01-F-D-350-075 FW-36-01-F-D-350-100

FW356-TL-E PDF下载 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

FW356-TL-E PDF下载

制造商
SANYO Semiconductor Co Ltd
功能描述
MOSFET NP CH SOT96

FW356-TL-E 技术参数

FW349-TL-E 功能描述:MOSFET N/P-CH 45V 5A/4.5A 8-SOP 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:N 和 P 沟道 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:45V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:5A，4.5A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:37 毫欧 @ 5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:18.1nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:860pF @ 20V 功率 - 最大值:1.8W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽）供应商器件封装:8-SOP 标准包装:1 FW342-TL-E 功能描述:MOSFET N/P-CH 30V 6A/5A 8-SOP 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:N 和 P 沟道 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:6A，5A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:33 毫欧 @ 6A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:16nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:850pF @ 10V 功率 - 最大值:1.8W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽）供应商器件封装:8-SOP 标准包装:1 FW248-TL-E 功能描述:MOSFET 2N-CH 45V 6A 8-SOP 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:2 个 N 沟道（双） FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:45V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:6A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:34 毫欧 @ 6A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:23nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1040pF @ 20V 功率 - 最大值:1.8W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽）供应商器件封装:8-SOP 标准包装:1 FW231A-TL-E 功能描述:MOSFET 2N-CH 20V 8A 8-SOP 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:2 个 N 沟道（双） FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:8A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:23 毫欧 @ 8A，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:21nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1530pF @ 10V 功率 - 最大值:2.3W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽）供应商器件封装:8-SOP 标准包装:1 FW1120G01 功能描述:General Purpose Relay DPDT (2 Form C) Chassis Mount 制造商:te connectivity aerospace, defense and marine 系列:军用，MIL-R-5757/10，FW，CII 包装:散装零件状态:在售继电器类型:通用线圈类型:无锁存线圈电流:- 线圈电压:26.5VDC 触头外形:DPDT（2 C 型）额定接触（电流）:2A 开关电压:28VDC - 标称导通电压（最大值）:13 VDC 关闭电压（最小值）:2.3 VDC 工作时间:6ms 释放时间:6ms 特性:- 安装类型:底座安装端子类型:焊接钩触头材料:- 线圈功率:- 线圈电阻:- 工作温度:-65°C ~ 125°C 标准包装:1 FW-36-01-F-D-425-065 FW-36-01-F-D-425-075 FW-36-01-F-D-425-100 FW-36-01-F-D-509-143 FW-36-01-G-D-200-065 FW-36-01-G-D-200-075 FW-36-01-G-D-200-100 FW-36-01-G-D-250-065 FW-36-01-G-D-250-075 FW-36-01-G-D-250-100 FW-36-01-G-D-350-065 FW-36-01-G-D-350-075 FW-36-01-G-D-350-100 FW-36-01-G-D-425-065 FW-36-01-G-D-425-075 FW-36-01-G-D-425-100 FW-36-01-L-D-200-065 FW-36-01-L-D-200-075