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HMC347G8

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  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
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  • 制造商
  • HITTITE
  • 制造商全称
  • Hittite Microwave Corporation
  • 功能描述
  • GaAs MMIC HERMETIC SMT SPDT SWITCH, DC - 8 GHz
HMC347G8 技术参数
  • HMC347C8TR 功能描述:RF Switch IC General Purpose SPDT 8GHz 50 Ohm 8-CSMD 制造商:analog devices inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:生命周期结束 频率?- 下:DC 频率?- 上:8GHz 隔离 @ 频率:40dB @ 6GHz(标准) 插损 @ 频率:2dB @ 6 GHz IIP3:43dBm(标准) 拓扑:- 电路:SPDT P1dB:23dBm 特性:- 阻抗:50 欧姆 工作温度:-40°C ~ 85°C 电压 - 电源:5V RF 类型:通用 封装/外壳:8-CSOIC(0.154",3.90mm 宽)裸焊盘 供应商器件封装:8-CSMD 标准包装:1 HMC347C8 功能描述:RF Switch IC General Purpose SPDT 8GHz 50 Ohm 8-CSMD 制造商:analog devices inc. 系列:- 包装:剪带 零件状态:生命周期结束 频率?- 下:DC 频率?- 上:8GHz 隔离 @ 频率:40dB @ 6GHz(标准) 插损 @ 频率:2dB @ 6 GHz IIP3:43dBm(标准) 拓扑:- 电路:SPDT P1dB:23dBm 特性:- 阻抗:50 欧姆 工作温度:-40°C ~ 85°C 电压 - 电源:5V RF 类型:通用 封装/外壳:8-CSOIC(0.154",3.90mm 宽)裸焊盘 供应商器件封装:8-CSMD 标准包装:1 HMC347ALP3E 功能描述:IC GAAS MESFET SW SPDT 16QFN 制造商:analog devices inc. 系列:- 包装:管件 零件状态:在售 频率?- 下:0Hz 频率?- 上:14GHz 隔离 @ 频率:38dB @ 14GHz(标准) 插损 @ 频率:1.9dB @ 14GHz IIP3:43dBm(标准) 拓扑:吸收 电路:SPDT P1dB:23dBm 特性:- 阻抗:50 欧姆 工作温度:-55°C ~ 85°C 电压 - 电源:- RF 类型:VSAT 封装/外壳:16-VFQFN 裸露焊盘 供应商器件封装:16-QFN(3x3) 标准包装:1 HMC347A 功能描述:IC GAAS MESFET SW SPDT DIE 制造商:analog devices inc. 系列:- 包装:托盘 零件状态:在售 频率?- 下:0Hz 频率?- 上:20GHz 隔离 @ 频率:45dB @ 20GHz(标准) 插损 @ 频率:1.7dB @ 20GHz IIP3:43dBm(标准) 拓扑:吸收 电路:SPDT P1dB:23dBm 特性:- 阻抗:50 欧姆 工作温度:-55°C ~ 85°C 电压 - 电源:- RF 类型:VSAT 封装/外壳:模具 供应商器件封装:模具 标准包装:50 HMC346-SX 功能描述:RF Attenuator 32dB 0 ~ 20GHz 50 Ohm Die 制造商:analog devices inc. 系列:- 零件状态:生命周期结束 衰减值:32dB 容差:- 频率范围:0 ~ 20GHz 功率(W):- 阻抗:50 欧姆 封装/外壳:模具 标准包装:2 HMC348LP3TR HMC349ALP4CE HMC349ALP4CETR HMC349AMS8GE HMC349AMS8GETR HMC349LP4CE HMC349MS8GE HMC351S8 HMC351S8E HMC351S8ETR HMC351S8TR HMC356LP3 HMC356LP3E HMC356LP3ETR HMC356LP3TR HMC3587LP3BE HMC3587LP3BETR HMC358MS8GE
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