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HMC850LC3C

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    HMC850LC3C

    HMC850LC3C

  • 深圳市英科美电子有限公司
    深圳市英科美电子有限公司

    联系人:张先生

    电话:0755-23903058

    地址:深圳市福田区振兴路西101号华匀大厦1栋7F

  • 9521

  • HITTITE

  • 原厂封装

  • 22+

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  • 每一片都来自原厂,正品保证

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HMC850LC3C 技术参数
  • HMC850LC3 制造商:Hittite Microwave Corp 功能描述:IC CLOCK BUFFER 1:2 16SMT HMC8500LP5DETR 功能描述:HIGH POWER GAN AMPS- 10W 1 - 2.5 制造商:analog devices inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 频率:10MHz ~ 2.8GHz P1dB:- 增益:20dB 噪声系数:5dB RF 类型:- 电压 - 电源:28V 电流 - 电源:100mA 测试频率:- 封装/外壳:32-LFQFN 裸露焊盘,CSP 供应商器件封装:32-LFCSP-CAV(5x5) 标准包装:1 HMC8500LP5DE 功能描述:HIGH POWER GAN AMPS- 10W 1 - 2.5 制造商:analog devices inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 频率:10MHz ~ 2.8GHz P1dB:- 增益:20dB 噪声系数:5dB RF 类型:- 电压 - 电源:28V 电流 - 电源:100mA 测试频率:- 封装/外壳:32-LFQFN 裸露焊盘,CSP 供应商器件封装:32-LFCSP-CAV(5x5) 标准包装:1 HMC849LP4CE 功能描述:RF Switch IC General Purpose SPDT 6GHz 50 Ohm 16-QFN (4x4) 制造商:analog devices inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 频率?- 下:DC 频率?- 上:6GHz 隔离 @ 频率:52dB @ 6GHz(标准) 插损 @ 频率:1.7dB @ 6GHz IIP3:52dBm(标准) 拓扑:吸收性 电路:SPDT P1dB:35dBm(标准) IP1dB 特性:- 阻抗:50 欧姆 工作温度:-40°C ~ 85°C 电压 - 电源:- RF 类型:通用 封装/外壳:16-VQFN 裸露焊盘 供应商器件封装:16-QFN(4x4) 标准包装:1 HMC849ALP4CETR 功能描述:RF Switch IC General Purpose SPDT 6GHz 50 Ohm 16-QFN (4x4) 制造商:analog devices inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 频率?- 下:DC 频率?- 上:6GHz 隔离 @ 频率:56dB @ 4GHz(标准) 插损 @ 频率:1dB @ 4GHz IIP3:52dBm(标准) 拓扑:- 电路:SPDT P1dB:33dBm 特性:- 阻抗:50 欧姆 工作温度:-40°C ~ 85°C 电压 - 电源:3 V ~ 5 V RF 类型:通用 封装/外壳:16-VQFN 裸露焊盘 供应商器件封装:16-QFN(4x4) 标准包装:1 HMC853LC3C HMC853LC3CTR HMC853LC3CTR-R5 HMC853LC3TR-R5 HMC854LC5 HMC854LC5TR-R5 HMC855LC5 HMC855LC5TR-R5 HMC856LC5 HMC856LC5TR HMC856LC5TR-R5 HMC857LC5 HMC857LC5TR HMC857LC5TR-R5 HMC858LC4B HMC858LC4BTR HMC858LC4BTR-R5 HMC859LC3
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