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HYMD232646A8J-J

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制造商
HYNIX
制造商全称
Hynix Semiconductor
功能描述
Unbuffered DDR SDRAM DIMM

HYMD232646A8J-J 技术参数

HYI39S128800FE-7 制造商:QIMONDA 制造商全称:QIMONDA 功能描述:128-MBit Synchronous DRAM HYI25D512160CE-5 功能描述:IC DDR SDRAM 512MBIT 66TSOP RoHS:是类别:集成电路 (IC) >> 存储器系列:- 标准包装:60 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行存储器类型:EEPROM 存储容量:16K (2K x 8) 速度:2MHz 接口:SPI 3 线串行电源电压:2.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-DIP（0.300"，7.62mm）供应商设备封装:8-PDIP 包装:管件产品目录页面:1449 (CN2011-ZH PDF) HYB25D512800CE-6 功能描述:IC DDR SDRAM 512MBIT 66TSOP RoHS:是类别:集成电路 (IC) >> 存储器系列:- 标准包装:60 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行存储器类型:EEPROM 存储容量:16K (2K x 8) 速度:2MHz 接口:SPI 3 线串行电源电压:2.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-DIP（0.300"，7.62mm）供应商设备封装:8-PDIP 包装:管件产品目录页面:1449 (CN2011-ZH PDF) HYB25D512800CE-5 功能描述:IC DDR SDRAM 512MBIT 66TSOP RoHS:是类别:集成电路 (IC) >> 存储器系列:- 标准包装:60 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行存储器类型:EEPROM 存储容量:16K (2K x 8) 速度:2MHz 接口:SPI 3 线串行电源电压:2.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-DIP（0.300"，7.62mm）供应商设备封装:8-PDIP 包装:管件产品目录页面:1449 (CN2011-ZH PDF) HYB25D128800CE-6 功能描述:IC DDR SDRAM 128MBIT 66TSOP RoHS:是类别:集成电路 (IC) >> 存储器系列:- 标准包装:60 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行存储器类型:EEPROM 存储容量:16K (2K x 8) 速度:2MHz 接口:SPI 3 线串行电源电压:2.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-DIP（0.300"，7.62mm）供应商设备封装:8-PDIP 包装:管件产品目录页面:1449 (CN2011-ZH PDF) HYT100D HYT15CME HYT30CME HYT50 HYT50CME HYX1 HYX2 HYX3 HYX4 HYX5 HZ0201A601R-11 HZ0402A152R-10 HZ0402A182R-10 HZ0402A601R-00 HZ0402A601R-10 HZ0402B102R-10 HZ0402C102R-10 HZ0402C601R-10