IRF530NSTRPBF-MX

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IRF530NSTRPBF-MX
深圳市海天鸿电子科技有限公司
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电话：0755-82552857-80913528851884（周日专线）
地址：深圳市福田区中航路中航北苑大厦A座22A3号
资质：营业执照
5600
IR
TO-263
1716+
-
只做原装一手货源，代理商分销库存

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IRF530NSTRPBF-MX 技术参数

IRF530N,127 功能描述:MOSFET N-CH 100V 17A TO220AB 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包装:管件零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:17A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:110 毫欧 @ 9A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:40nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:633pF @ 25V 功率 - 最大值:79W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220AB 标准包装:50 IRF530 功能描述:MOSFET N-CH 100V 14A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? II 包装:管件零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:14A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:160 毫欧 @ 7A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:21nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:458pF @ 25V 功率 - 最大值:60W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220AB 标准包装:50 IRF520 功能描述:MOSFET N-CH 100V 10A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? II 包装:管件零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:10A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:270 毫欧 @ 7A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:22nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:460pF @ 25V 功率 - 最大值:60W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220AB 标准包装:50 IR-EK2 功能描述:INFRARED GAS SENSOR EVAL KIT 制造商:sgx sensortech 系列:- 零件状态:在售传感器类型:气体感应范围:- 接口:USB 灵敏度:- 电压 - 电源:8.1 V ~ 9.9 V 嵌入式:- 所含物品:板，电缆，电源，配件使用的 IC/零件:- 标准包装:25 IRD-LPC2468-DEV 功能描述:LPC2468 Industrial Reference Design LPC2400 MCU 32-Bit ARM7 Embedded Evaluation Board 制造商:future designs inc. 系列:LPC2400 零件状态:过期板类型:评估平台类型:MCU 32-位核心处理器:ARM7 操作系统:RTOS 平台:工业参考设计配套使用产品/相关产品:LPC2468 安装类型:固定内容:板，电缆，LCD，电源，配件标准包装:1 IRF540,127 IRF540A IRF540L IRF540N_R4942 IRF540NL IRF540NLPBF IRF540NPBF IRF540NSPBF IRF540NSTRLPBF IRF540NSTRRPBF IRF540PBF IRF540S IRF540SPBF IRF540STRL IRF540STRLPBF IRF540STRR IRF540STRRPBF IRF540Z