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IRF9Z14SPBF

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  • IRF9Z14SPBF
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  • 深圳市晶美隆科技有限公司
    深圳市晶美隆科技有限公司

    联系人：李林

    电话：0755-8251939113714584659李先生（可开13%增票，3

    地址：深圳市福田区华强北电子科技大夏A座36楼C09

    资质：营业执照

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  • IRF9Z14SPBF
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  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人：唐先生

    电话：0755-8322569219129381337（微信同号）

    地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。

  • 865000

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  • 深圳市湘达电子有限公司
    深圳市湘达电子有限公司

    联系人：朱平

    电话：0755-83229772-83202753

    地址：办公地址 帮我改成 深圳市福田区红荔路上步工业区201栋东座4楼F02室

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  • 深圳市海天鸿电子科技有限公司
    深圳市海天鸿电子科技有限公司

    联系人：彭小姐、刘先生、李小姐

    电话：0755-82552857-80913528851884（周日专线）

    地址：深圳市福田区中航路中航北苑大厦A座22A3号

    资质：营业执照

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  • 只做原装 一手货源，代理商分销库存

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  • 深圳市时兴宇电子有限公司
    深圳市时兴宇电子有限公司

    联系人：彭先生

    电话：0755-830415598397218513430523058

    地址：深圳市福田区华强北都会大厦A座19楼19G

  • 20000

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  • 北京元坤伟业科技有限公司
    北京元坤伟业科技有限公司

    联系人：刘先生

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    地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室

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  • 北京耐芯威科技有限公司
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    联系人：刘先生

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    地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室

    资质：营业执照

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  • 深圳市芯睿晨科技有限公司
    深圳市芯睿晨科技有限公司

    联系人：李小姐/肖先生

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    地址：赛格广场69楼6900

    资质：营业执照

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  • 深圳市柏新电子科技有限公司
    深圳市柏新电子科技有限公司

    联系人：林小姐//方先生

    电话：0755-88377780010-58488628

    地址：深圳市福田区深南中路2070号电子科技大厦C座27E2 , 北京办事处：北京海春路中发大厦60淀区知

  • 933

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  • TO-263

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  • 只做原装正品。

  • IRF9Z14SPBF
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  • 深圳市鹏威尔科技有限公司
    深圳市鹏威尔科技有限公司

    联系人：胡庆伟

    电话：13138879988

    地址：深圳市宝安区新安街道翻身路117号 富源商贸中心D栋601

  • 650

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  • ORIGONAL

  • 16+

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  • 功能描述
  • MOSFET P-Chan 60V 6.7 Amp
  • RoHS
  • 否
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 晶体管极性
  • N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压
  • 650 V
  • 闸/源击穿电压
  • 25 V
  • 漏极连续电流
  • 130 A
  • 电阻汲极/源极 RDS（导通）
  • 0.014 Ohms
  • 配置
  • Single
  • 最大工作温度
  • 安装风格
  • Through Hole
  • 封装 / 箱体
  • Max247
  • 封装
  • Tube
IRF9Z14SPBF 技术参数
  • IRF840 功能描述:MOSFET N-CH 500V 8A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH? II 包装:管件 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压（Vdss）:500V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:8A（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:850 毫欧 @ 3.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:39nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:832pF @ 25V 功率 - 最大值:125W 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220AB 标准包装:50 IRF830 功能描述:MOSFET N-CH 500V 4.5A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH?? 包装:管件 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压（Vdss）:500V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:4.5A（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1.5 欧姆 @ 2.7A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:30nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:610pF @ 25V 功率 - 最大值:100W 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220AB 标准包装:50 IRF820 功能描述:MOSFET N-CH 500V 4A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH? II 包装:管件 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压（Vdss）:500V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:4A（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:3 欧姆 @ 1.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:17nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:315pF @ 25V 功率 - 最大值:80W 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220AB 标准包装:50 IRF740 功能描述:MOSFET N-CH 400V 10A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH? II 包装:管件 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压（Vdss）:400V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:10A（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:550 毫欧 @ 5.3A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:43nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1400pF @ 25V 功率 - 最大值:125W 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220AB 标准包装:50 IRF730 功能描述:MOSFET N-CH 400V 5.5A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH? II 包装:管件 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压（Vdss）:400V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:5.5A（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1 欧姆 @ 3A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:24nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:530pF @ 25V 功率 - 最大值:100W 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220AB 标准包装:50 IRF9Z24NS IRF9Z24NSPBF IRF9Z24NSTRL IRF9Z24NSTRLPBF IRF9Z24NSTRR IRF9Z24PBF IRF9Z24S IRF9Z24SPBF IRF9Z24STRL IRF9Z24STRLPBF IRF9Z24STRR IRF9Z24STRRPBF IRF9Z30 IRF9Z30PBF IRF9Z34 IRF9Z34NL IRF9Z34NLPBF IRF9Z34NPBF
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