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IRFH5110TR2PBF

配单专家企业名单
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  • IRFH5110TR2PBF
    IRFH5110TR2PBF

    IRFH5110TR2PBF

  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人：唐先生

    电话：0755-8322569219129381337（微信同号）

    地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。

  • 865000

  • INFINEON

  • 原厂封装

  • 最新批号

  • -

  • 一级代理.原装特价现货！

  • IRFH5110TR2PBF
    IRFH5110TR2PBF

    IRFH5110TR2PBF

  • 北京首天伟业科技有限公司
    北京首天伟业科技有限公司

    联系人：刘先生

    电话：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址： 广东省深圳市福田区华强北街道电子科技大厦C座23E

    资质：营业执照

  • 5000

  • Internation.Rectifer

  • 原厂标准封装

  • 09+

  • -

  • 假一罚十，百分百原装正品

  • IRFH5110TR2PBF
    IRFH5110TR2PBF

    IRFH5110TR2PBF

  • 北京元坤伟业科技有限公司
    北京元坤伟业科技有限公司

    联系人：刘先生

    电话：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室

    资质：营业执照

  • 638850

  • IR

  • QFN

  • 最新批次

  • -

  • OEM渠道，价格超越代理！

  • IRFH5110TR2PBF
    IRFH5110TR2PBF

    IRFH5110TR2PBF

  • 深圳市一线半导体有限公司
    深圳市一线半导体有限公司

    联系人：谢小姐/钟先生/陈先生/陈小姐

    电话：0755-88608801多线17727932378

    地址：深圳市福田区华强北华强花园B9F

  • 11630

  • IR

  • 原厂原装

  • 18+

  • -

  • 原装正品，优势供应

  • IRFH5110TR2PBF
    IRFH5110TR2PBF

    IRFH5110TR2PBF

  • 深圳市一线半导体有限公司
    深圳市一线半导体有限公司

    联系人：谢小姐/钟先生/陈先生/陈小姐

    电话：0755-8860880117727932378

    地址：深圳市福田区华强北华强花园B9F

  • 36200

  • IR

  • QFN8

  • 18+

  • -

  • 原装正品，欢迎订购

  • IRFH5110TR2PBF
    IRFH5110TR2PBF

    IRFH5110TR2PBF

  • 深圳市一线半导体有限公司
    深圳市一线半导体有限公司

    联系人：谢小姐/钟先生/陈先生/陈小姐

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    地址：深圳市福田区华强北华强花园B9F

  • 36200

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  • QFN8

  • 18+

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  • 原装正品，欢迎订购

  • IRFH5110TR2PBF
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  • 深圳市欧和宁电子有限公司
    深圳市欧和宁电子有限公司

    联系人：李先生

    电话：0755-292759351581559886118576729816

    地址：广东省 深圳市 福田区 华强北赛格科技园6C18室

  • 69800

  • IR

  • 近两年生产

  • 8-PowerVQF

  • -

  • 每一片都来自原厂

  • IRFH5110TR2PBF
    IRFH5110TR2PBF

    IRFH5110TR2PBF

  • 深圳市众芯微电子有限公司
    深圳市众芯微电子有限公司

    联系人：陈小姐

    电话：0755-8320801015711992892

    地址：都会轩3607

    资质：营业执照

  • 9800

  • Infineon Technologies

  • PQFN（5x6）

  • 19+

  • -

  • 代理直销！进口原装正品！

  • IRFH5110TR2PBFCT-ND
    IRFH5110TR2PBFCT-ND

    IRFH5110TR2PBFCT-ND

  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
    深圳市毅创辉电子科技有限公司

    联系人：何芝

    电话：19129491934(手机优先微信同号)0755-82865099

    地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室

    资质：营业执照

  • 2350

  • IR

  • 8-PowerVQFN

  • 201315+

  • -

  • 原装正品，现货库存！400-800-03...

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  • 功能描述
  • MOSFET MOSFT 100V Gen 10.7 11.68mOhm 56.2nC Qg
  • RoHS
  • 否
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 晶体管极性
  • N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压
  • 650 V
  • 闸/源击穿电压
  • 25 V
  • 漏极连续电流
  • 130 A
  • 电阻汲极/源极 RDS（导通）
  • 0.014 Ohms
  • 配置
  • Single
  • 最大工作温度
  • 安装风格
  • Through Hole
  • 封装 / 箱体
  • Max247
  • 封装
  • Tube
IRFH5110TR2PBF 技术参数
  • IRF840 功能描述:MOSFET N-CH 500V 8A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH? II 包装:管件 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压（Vdss）:500V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:8A（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:850 毫欧 @ 3.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:39nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:832pF @ 25V 功率 - 最大值:125W 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220AB 标准包装:50 IRF830 功能描述:MOSFET N-CH 500V 4.5A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH?? 包装:管件 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压（Vdss）:500V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:4.5A（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1.5 欧姆 @ 2.7A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:30nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:610pF @ 25V 功率 - 最大值:100W 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220AB 标准包装:50 IRF820 功能描述:MOSFET N-CH 500V 4A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH? II 包装:管件 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压（Vdss）:500V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:4A（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:3 欧姆 @ 1.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:17nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:315pF @ 25V 功率 - 最大值:80W 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220AB 标准包装:50 IRF740 功能描述:MOSFET N-CH 400V 10A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH? II 包装:管件 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压（Vdss）:400V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:10A（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:550 毫欧 @ 5.3A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:43nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1400pF @ 25V 功率 - 最大值:125W 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220AB 标准包装:50 IRF730 功能描述:MOSFET N-CH 400V 5.5A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH? II 包装:管件 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压（Vdss）:400V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:5.5A（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1 欧姆 @ 3A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:24nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:530pF @ 25V 功率 - 最大值:100W 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220AB 标准包装:50 IRFH5215TR2PBF IRFH5215TRPBF IRFH5220TR2PBF IRFH5220TRPBF IRFH5250DTR2PBF IRFH5250DTRPBF IRFH5250TR2PBF IRFH5250TRPBF IRFH5255TR2PBF IRFH5255TRPBF IRFH5300TR2PBF IRFH5300TRPBF IRFH5301TR2PBF IRFH5301TRPBF IRFH5302DTR2PBF IRFH5302DTRPBF IRFH5302TR2PBF IRFH5302TRPBF
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