IXA12IF1200PB全国供应商【买卖IC网】IXA12IF1200PB资料|PDF Datasheet|价格 IXYS

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

IXA12IF1200PB
深圳市德力诚信科技有限公司
深圳市德力诚信科技有限公司
联系人：王小姐
电话：13969210552
地址：深圳市福田区深南中路3031号汉国中心3204室
资质：营业执照
197
IXYS SEMICONDUCTOR
con
24+
-
优势库存，原装正品

IXA12IF1200PB
深圳市华芯源电子有限公司
深圳市华芯源电子有限公司
联系人：张小姐
电话：1501927513013823545558
地址：深圳市福田区华强路华强广场D座16层18B
资质：营业执照
59620
IXYS/艾赛斯
TO-220AB
24+
-
原装正品华强现货

IXA12IF1200PB
无锡固电半导体股份有限公司
无锡固电半导体股份有限公司
联系人：张小姐
电话：15961889150
地址：江苏省无锡市新区新梅路68号
资质：营业执照
1000
isc/固电半导体
TO-220
25+
-
国产品牌，替代进口

IXA12IF1200PB
北京京北通宇电子元件有限公司
北京京北通宇电子元件有限公司
联系人：王
电话：18724450645
地址：中国上海
197
IXYS SEMICONDUCTOR
con
24+
-
优势库存，原装正品

IXA12IF1200PB
深圳市芯脉实业有限公司
深圳市芯脉实业有限公司
联系人：高先生/曹先生/周小姐
电话：185208051481348786585213760272017
地址：深圳市龙岗区坂田街道南坑社区雅宝路1号星河WORLDA2203A室
58412
IXYS
TO-220-3
25+
-
全球渠道、原厂正品、信誉保障、闪电发货

IXA12IF1200PB
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
265
IXYS SEMI
1521+
-
全新原装现货

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功能描述
IGBT 模块 XPT 1200V IGBT GenX3 XPT IGBT
RoHS
否
制造商
Infineon Technologies
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.95 V
在25 C的连续集电极电流
230 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
功率耗散
445 W
最大工作温度
+ 125 C
封装 / 箱体
34MM
封装

IXA12IF1200PB 技术参数

IX9908NTR 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:High Voltage, Dimmable LED Driver with PFC Control IX9908N 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:High Voltage, Dimmable LED Driver with PFC Control IX6S11S6T/R 功能描述:功率驱动器IC 6 Amps 35V 2.5 Rds RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube IX6S11S6 功能描述:IC DRVR HALF BRIDGE 6A 18-SOIC RoHS:是类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:高端输入类型:非反相延迟时间:200ns 电流 - 峰:250mA 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大（自引导启动）:600V 电源电压:12 V ~ 20 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:通孔封装/外壳:8-DIP（0.300"，7.62mm）供应商设备封装:8-DIP 包装:管件其它名称:*IR2127 IX6R11S6T/R 功能描述:功率驱动器IC 6 Amps 35V 2.5 Rds RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube IXA27IF1200HJ IXA30PG1200DHGLB IXA30PG1200DHGLB-TRR IXA30RG1200DHGLB IXA30RG1200DHGLB-TRR IXA33IF1200HB IXA37IF1200HJ IXA40PF1200TDHGLB IXA40PF1200TDHGLB-TRR IXA40PG1200DHGLB IXA40PG1200DHGLB-TRR IXA40RG1200DHGLB IXA40RG1200DHGLB-TRR IXA45IF1200HB IXA4I1200UC IXA4IF1200TC IXA4IF1200UC IXA531L4