IXGH20N100AA

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IXGH20N100AA
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：何芝
电话：19129491934(手机优先微信同号)0755-82865099
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
2855
IXYS
TO-247
1223+
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原装正品，现货库存！400-800-03...

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IXGH20N100AA 技术参数

IXG611S1T/R 功能描述:IGBT 晶体管 0.6 Amps 35V 25 Rds RoHS:否制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube IXG611S1 功能描述:IC DRIVER MOSF/IGBT 0.6A 8-SOIC RoHS:是类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:高端输入类型:非反相延迟时间:200ns 电流 - 峰:250mA 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大（自引导启动）:600V 电源电压:12 V ~ 20 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:通孔封装/外壳:8-DIP（0.300"，7.62mm）供应商设备封装:8-DIP 包装:管件其它名称:*IR2127 IXG611P1 功能描述:IC DRIVER MOSF/IGBT 0.6A 8-PDIP RoHS:是类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:高端输入类型:非反相延迟时间:200ns 电流 - 峰:250mA 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大（自引导启动）:600V 电源电压:12 V ~ 20 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:通孔封装/外壳:8-DIP（0.300"，7.62mm）供应商设备封装:8-DIP 包装:管件其它名称:*IR2127 IXF6401BEC7A1835148 功能描述:IC PROCESSOR BROADBAND 352BGA RoHS:否类别:集成电路 (IC) >> 接口 - 电信系列:- 产品培训模块:Lead (SnPb) Finish for COTS 产品变化通告:Product Discontinuation 06/Feb/2012 标准包装:750 系列:* IXF611S1T/R 功能描述:功率驱动器IC 0.6 Amps 35V 25 Rds RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube IXGH20N60AU1 IXGH20N60B IXGH20N60BD1 IXGH20N60BU1 IXGH22N140IH IXGH240N30PB IXGH24N120C3 IXGH24N120C3H1 IXGH24N120IH IXGH24N170 IXGH24N170A IXGH24N170AH1 IXGH24N60A IXGH24N60AU1 IXGH24N60B IXGH24N60BU1 IXGH24N60C IXGH24N60C4