IXGP30N60C2全国供应商【买卖IC网】IXGP30N60C2资料|PDF Datasheet|价格 IXYS

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

IXGP30N60C2
深圳市华芯源电子有限公司
深圳市华芯源电子有限公司
联系人：张小姐
电话：1501927513013823545558
地址：深圳市福田区华强路华强广场D座16层18B
资质：营业执照
325680
IXYS/艾赛斯
TO-220
24+
-
原装正品华强现货

IXGP30N60C2
深圳市琦凌凯科技有限公司
深圳市琦凌凯科技有限公司
联系人：彭先生
电话：1331648214918276240346
地址：深圳市福田区华强北街道荔村社区振兴路120号赛格科技园4栋中10层10A28
资质：营业执照
6000
IXYS/艾赛斯
TO-220
22+
-
十年配单，只做原装

IXGP30N60C2
无锡固电半导体股份有限公司
无锡固电半导体股份有限公司
联系人：刘小姐
电话：15961889150
地址：江苏省无锡市新区新梅路68号
资质：营业执照
1000
isc/固电半导体
TO-220
25+
-
国产品牌，替代进口

IXGP30N60C2
深圳市中平科技有限公司
深圳市中平科技有限公司
联系人：赖先生
电话：0755-8394638513632637322
地址：深圳市福田区深南中路2070号电子科技大厦A座27楼2702号
资质：营业执照
1277
IXYS
TO-220
2024+
-
正宗原装现货

IXGP30N60C2
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：唐先生
电话：0755-8322569219129381337（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。
8650000
IXYS
TO-220
最新批号
-
一级代理.原装特价现货！

IXGP30N60C2
深圳市一线半导体有限公司
深圳市一线半导体有限公司
联系人：谢小姐/钟先生/陈先生/陈小姐
电话：0755-88608801多线17727932378
地址：深圳市福田区华强北华强花园B9F
9600
TO-220
IXYS
17+
-
原装正品。优势供应

IXGP30N60C2
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
5000
IXYS
TO-220
09+
-
假一罚十，百分百原装正品

IXGP30N60C2
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
5000
IXYS
原厂封装
15+
-
原装正品，假一罚十

IXGP30N60C2
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：何芝
电话：19129491934(手机优先微信同号)0755-82865099
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
2855
IXYS
TO-220
1223+
-
原装正品，现货库存！400-800-03...

1/1页 40条/页共18条
1

您是不是要找： IXGP30N60C3 IXGP30N60C3C1 IXGP30N60C3D4 IXGP42N30C3 IXGP48N60C3 IXGP4N100 IXGP50N33TBM-A IXGP50N60C4 IXGP70N33TBM-A

IXGP30N60C2 PDF下载 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

IXGP30N60C2 PDF下载

功能描述
IGBT 晶体管 30 Amps 600V 2.7 V Rds
RoHS
否
制造商
Fairchild Semiconductor
配置
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
2.3 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
150 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
功率耗散
187 W
最大工作温度
封装 / 箱体
TO-247
封装
Tube

IXGP30N60C2 技术参数

IXG611S1T/R 功能描述:IGBT 晶体管 0.6 Amps 35V 25 Rds RoHS:否制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube IXG611S1 功能描述:IC DRIVER MOSF/IGBT 0.6A 8-SOIC RoHS:是类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:高端输入类型:非反相延迟时间:200ns 电流 - 峰:250mA 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大（自引导启动）:600V 电源电压:12 V ~ 20 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:通孔封装/外壳:8-DIP（0.300"，7.62mm）供应商设备封装:8-DIP 包装:管件其它名称:*IR2127 IXG611P1 功能描述:IC DRIVER MOSF/IGBT 0.6A 8-PDIP RoHS:是类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:高端输入类型:非反相延迟时间:200ns 电流 - 峰:250mA 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大（自引导启动）:600V 电源电压:12 V ~ 20 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:通孔封装/外壳:8-DIP（0.300"，7.62mm）供应商设备封装:8-DIP 包装:管件其它名称:*IR2127 IXF6401BEC7A1835148 功能描述:IC PROCESSOR BROADBAND 352BGA RoHS:否类别:集成电路 (IC) >> 接口 - 电信系列:- 产品培训模块:Lead (SnPb) Finish for COTS 产品变化通告:Product Discontinuation 06/Feb/2012 标准包装:750 系列:* IXF611S1T/R 功能描述:功率驱动器IC 0.6 Amps 35V 25 Rds RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube IXGP7N60B IXGP7N60BD1 IXGP7N60C IXGP7N60CD1 IXGP8N100 IXGP90N33TCM-A IXGQ120N30TCD1 IXGQ150N30TC IXGQ150N30TCD1 IXGQ170N30PB IXGQ180N33TC IXGQ180N33TCD1 IXGQ200N30PB IXGQ20N120B IXGQ20N120BD1 IXGQ240N30PB IXGQ28N120B IXGQ28N120BD1

发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

*型号	*数量	厂商	批号	封装

添加更多采购

我的联系方式

在采购IXGP30N60C2进货过程中，您使用搜索有什么问题和建议？点此反馈

友情提醒：为规避购买IXGP30N60C2产品风险，建议您在购买IXGP30N60C2相关产品前务必确认供应商资质及产品质量。

免责声明：以上所展示的IXGP30N60C2信息由会员自行提供，IXGP30N60C2内容的真实性、准确性和合法性由发布会员负责。买卖IC网不承担任何责任。

IXGP30N60C2

采购需求

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

我的联系方式