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2N4115

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  • 深圳市芯脉实业有限公司
    深圳市芯脉实业有限公司

    联系人:高先生/周小姐/曹先生

    电话:185208051481376027201713487865852

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  • 8436

  • General Semiconductor

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  • 25+

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  • 2N4115
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  • 北京京华特科技有限公司
    北京京华特科技有限公司

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    地址:北京市朝阳区建国门外大街9号楼603室

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  • GSI

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  • 制造商
  • Rochester Electronics LLC
  • 功能描述
  • - Bulk
2N4115 技术参数
  • 2N4093UB 功能描述:N CHANNEL JFET 制造商:microsemi ire division 系列:* 零件状态:在售 标准包装:1 2N4093 功能描述:JFET N-Channel 40V 8mA @ 20V 360mW Through Hole TO-18 制造商:microsemi ire division 系列:军用, MIL-PRF-19500/431 包装:散装 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 电压 - 击穿(V(BR)GSS):40V 漏源极电压(Vdss):40V 不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss):8mA @ 20V 漏极电流(Id) - 最大值:- 不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关):- 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):16pF @ 20V 电阻 - RDS(开):80 欧姆 功率 - 最大值:360mW 工作温度:-65°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-206AA,TO-18-3 金属罐 供应商器件封装:TO-18 标准包装:1 2N4092UB 功能描述:N CHANNEL JFET 制造商:microsemi ire division 系列:* 零件状态:在售 标准包装:1 2N4092 功能描述:JFET N-Channel 40V 15mA @ 20V 360mW Through Hole TO-18 制造商:microsemi ire division 系列:军用, MIL-PRF-19500/431 包装:散装 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 电压 - 击穿(V(BR)GSS):40V 漏源极电压(Vdss):40V 不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss):15mA @ 20V 漏极电流(Id) - 最大值:- 不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关):- 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):16pF @ 20V 电阻 - RDS(开):50 欧姆 功率 - 最大值:360mW 工作温度:-65°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-206AA,TO-18-3 金属罐 供应商器件封装:TO-18 标准包装:1 2N4091UB 功能描述:N CHANNEL JFET 制造商:microsemi ire division 系列:* 零件状态:在售 标准包装:1 2N4123 2N4123BU 2N4123RLRM 2N4123TA 2N4123TAR 2N4123TF 2N4123TFR 2N4124 2N4124_J18Z 2N4124_S00Z 2N4124BU 2N4124G 2N4124TA 2N4124TAR 2N4124TF 2N4124TFR 2N4125_S00Z 2N4125BU
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