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配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

2N7002HG-T3R
深圳市芯驰科技有限公司
深圳市芯驰科技有限公司
联系人：丁皓鹏
电话：1866538497818124166365
地址：福田街道深南中路3029号南光捷佳大厦2331
资质：营业执照
24000
LISION
SOT-23-3
17+
-
原装现货，假一赔百,支持实单

2N7002HG
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：唐先生
电话：0755-8322569219129381337（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。
8650000
LISION
原厂封装
最新批号
-
一级代理.原装特价现货！

2N7002HG
深圳市时兴宇电子有限公司
深圳市时兴宇电子有限公司
联系人：彭先生
电话：0755-830415598397218513430523058
地址：深圳市福田区华强北都会大厦A座19楼19G
8865
lision
SOT23
14+
-
绝对公司原装现货

2N7002HG
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
510
LISION
SOT-23
11+
-
全新原装现货

2N7002HG
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：史仙雁
电话：19129911934（手机优先微信同号）0755-82813018
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
2300
NXP
ROHS
13+
-
全新原装正品欢迎来电0755-8286...

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2N7002HG 技术参数

2N7002-HF 功能描述:MOSFET N-CH 60V 0.25A SOT23 制造商:comchip technology 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:250mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:3 欧姆 @ 250mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:1nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:25pF @ 25V 功率 - 最大值:350mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23 标准包装:1 2N7002H-7 功能描述:MOSFET N-CH 60V 0.17A SOT23-3 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:170mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:7.5 欧姆 @ 50mA，5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:0.35nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:26pF @ 25V 功率 - 最大值:370mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23 标准包装:1 2N7002H6327XTSA2 功能描述:MOSFET N-CH 60V 0.3A SOT363 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:300mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:3 欧姆 @ 500mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:0.6nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:20pF @ 25V 功率 - 最大值:500mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:PG-SOT23-3 标准包装:1 2N7002H-13 功能描述:MOSFET N-CH 60V 0.17A SOT23 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:170mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:7.5 欧姆 @ 50mA，5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:0.35nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:26pF @ 25V 功率 - 最大值:370mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23 标准包装:10,000 2N7002-G 功能描述:MOSFET N-CH 60V 0.115A SOT23-3 制造商:microchip technology 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:115mA（Tj）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA Vgs（最大值）:±30V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:50pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:360mW（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:7.5 欧姆 @ 500mA，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:SOT-23（TO-236AB）封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 标准包装:1 2N7002L 2N7002LT1 2N7002LT1G 2N7002LT3 2N7002LT3G 2N7002MTF 2N7002P,215 2N7002P,235 2N7002PM,315 2N7002PS,115 2N7002PS,125 2N7002PS/ZLH 2N7002PS/ZLX 2N7002PT,115 2N7002PV,115 2N7002PW,115 2N7002T 2N7002T,215